[發(fā)明專(zhuān)利]多芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210140789.1
• 申請(qǐng)日: 2012-05-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102856287A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新潮;梁志忠;李維平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/495
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 江陰市同盛專(zhuān)利事務(wù)所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種多芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程如下所示：

步驟一、參見(jiàn)圖38，取一玻璃纖維材料制成的基板，

步驟二、參見(jiàn)圖39，在玻璃纖維基板上所需的位置上開(kāi)孔，

步驟三、參見(jiàn)圖40，在玻璃纖維基板的背面披覆一層銅箔，

步驟四、參見(jiàn)圖41，在玻璃纖維基板打孔的位置填入導(dǎo)電物質(zhì)，

步驟五、參見(jiàn)圖42，在玻璃纖維基板的正面披覆一層銅箔，

步驟六、參見(jiàn)圖43，在玻璃纖維基板表面披覆光阻膜，

步驟七、參見(jiàn)圖44，將光阻膜在需要的位置進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，

步驟八、參見(jiàn)圖45，將完成開(kāi)窗的部分進(jìn)行蝕刻，

步驟九、參見(jiàn)圖46，將基板表面的光阻膜剝除，

步驟十、參見(jiàn)圖47，在銅箔線路層的表面進(jìn)行防焊漆（俗稱(chēng)綠漆）的披覆，

步驟十一、參見(jiàn)圖48，在防焊漆需要進(jìn)行后工序的裝片以及打線鍵合的區(qū)域進(jìn)行開(kāi)窗，

步驟十二、參見(jiàn)圖49，在步驟十一進(jìn)行開(kāi)窗的區(qū)域進(jìn)行電鍍，相對(duì)形成基島和引腳，

步驟十三、完成后續(xù)的裝片、打線、包封、切割等相關(guān)工序。

上述傳統(tǒng)高密度基板封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足和缺陷：

1、多了一層的玻璃纖維材料，同樣的也多了一層玻璃纖維的成本；

2、因?yàn)楸仨氁玫讲ＡЮw維，所以就多了一層玻璃纖維厚度約100~150μm的厚度空間；

3、玻璃纖維本身就是一種發(fā)泡物質(zhì)，所以容易因?yàn)榉胖玫臅r(shí)間與環(huán)境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性的等級(jí)；

4、玻璃纖維表面被覆了一層約50~100μm的銅箔金屬層厚度，而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因?yàn)槲g刻因子的特性只能做到50~100μm的蝕刻間隙（參見(jiàn)圖50，最好的制作能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度），所以無(wú)法真正的做到高密度線路的設(shè)計(jì)與制造；

5、因?yàn)楸仨氁褂玫姐~箔金屬層，而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式，所以銅箔的厚度很難低于50μm的厚度，否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等；

6、也因?yàn)檎麄€(gè)基板材料是采用玻璃纖維材料，所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度100~150μm，無(wú)法真正的做到超薄的封裝；

7、傳統(tǒng)玻璃纖維加貼銅箔的工藝技術(shù)因?yàn)椴馁|(zhì)特性差異很大（膨脹系數(shù)），在惡劣環(huán)境的工序中容易造成應(yīng)力變形，直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種多芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其工藝簡(jiǎn)單，不需使用玻璃纖維層，減少了制造成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來(lái)的環(huán)境污染，而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。

本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種多芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島和引腳，所述基島正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)設(shè)置有多個(gè)芯片，所述芯片正面與引腳正面之間用金屬線相連接，所述基島外圍的區(qū)域、基島和引腳之間的區(qū)域、引腳與引腳之間的區(qū)域、基島和引腳上部的區(qū)域、基島和引腳下部的區(qū)域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料，所述基島和引腳下部的塑封料表面上開(kāi)設(shè)有小孔，所述小孔與基島或引腳背面相連通，所述小孔內(nèi)設(shè)置有金屬球，所述金屬球與基島或引腳背面相接觸。

一種多芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，它包括以下工藝步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材

在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜，

步驟三、貼光阻膜作業(yè)

利用貼光阻膜設(shè)備在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膜的被覆，?

步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設(shè)備在步驟三完成貼膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影以及開(kāi)窗，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的圖形區(qū)域，

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

將金屬基板背面已完成開(kāi)窗的圖形區(qū)域電鍍上惰性金屬線路層，?

步驟六、電鍍金屬線路層

在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上金屬線路層，所述金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面相對(duì)形成基島上部和引腳上部，?

步驟七、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟八、涂覆粘結(jié)物質(zhì)