[發明專利]單芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210140783.4
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN102867789A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠;李維平
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/50
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種單芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結構，其特征在于：它包括基島（1）和引腳（2），所述基島（1）正面通過導電或不導電粘結物質（3）設置有芯片（4），所述芯片（4）正面與引腳（2）正面之間用金屬線（5）相連接，所述基島（1）外圍的區域、基島（1）和引腳（2）之間的區域、引腳（2）與引腳（2）之間的區域、基島（1）和引腳（2）上部的區域、基島（1）和引腳（2）下部的區域以及芯片（4）和金屬線（5）外均包封有塑封料（6），所述基島（1）和引腳（2）下部的塑封料（6）表面上開設有小孔（7），所述小孔（7）與基島（1）或引腳（2）背面相連通，所述小孔（7）內設置有金屬球（9），所述金屬球（9）與基島（1）或引腳（2）背面相接觸。

2.一種如權利要求1所述的單芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結構的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍銅材

在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜，

步驟三、貼光阻膜作業

利用貼光阻膜設備在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，?

步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟三完成貼光阻膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍的圖形區域，

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

將金屬基板背面已完成開窗的圖形區域電鍍上惰性金屬線路層，?

步驟六、電鍍金屬線路層

在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上金屬線路層，所述金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面相對形成基島上部和引腳上部，?

步驟七、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟八、涂覆粘結物質

在步驟六相對形成的基島上部正面涂覆導電或是不導電的粘結物質，?

步驟九、裝片

在步驟八基島上部涂覆的導電或不導電粘結物質上進行芯片的植入，

步驟十、金屬線鍵合

在芯片正面與引腳正面之間進行鍵合金屬線作業，?

步驟十一、包封

將完成裝片打線后的金屬基板正面進行包封塑封料作業，?

步驟十二、貼光阻膜作業

利用貼光阻膜設備在完成包封塑封料的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，

步驟十三、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟十二完成貼膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板背面后續需要進行化學蝕刻的圖形區域，

步驟十四、化學蝕刻

將步驟十三中金屬基板背面完成開窗的圖形區域進行化學蝕刻，

步驟十五、電鍍金屬線路層

在步驟十四完成化學蝕刻后露出的惰性金屬線路層表面進行金屬線路層的電鍍，金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板背面相對形成基島下部和引腳下部，?

步驟十六、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，

步驟十七、包封

將步驟十六去除光阻膜后的金屬基板背面進行塑封料的包封作業，

步驟十八、塑封料表面開孔

在步驟十七金屬基板背面包封塑封料的表面進行后續要植金屬球區域的開孔作業，

步驟十九、清洗

對步驟十八金屬基板背面塑封料開孔處進行清洗，

步驟二十、植球

在步驟十九經過清洗的小孔內植入金屬球，?

步驟二十一、切割成品

將步驟二十完成植球的半成品進行切割作業，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結構成品。

3.根據權利要求2所述的一種單芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結構的制造方法，其特征在于：所述基島（1）與引腳（2）之間設置有靜電釋放圈（10），所述靜電釋放圈（10）正面與芯片（4）正面之間通過金屬線（5）相連接。

4.根據權利要求2所述的一種單芯片正裝先封裝后蝕刻基島露出封裝結構的制造方法，其特征在于：所述引腳（2）與引腳（2）之間跨接無源器件（11），所述無源器件（11）跨接于引腳（2）正面與引腳（2）正面之間或跨接于引腳（2）背面與引腳（2）背面之間。