[發明專利]一種改善背鈍化太陽電池填充性能的燒結方法有效
| 申請號: | 201210140670.4 | 申請日: | 2012-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN102709382A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 李中蘭;許庭靜 | 申請(專利權)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 鈍化 太陽電池 填充 性能 燒結 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種改善背鈍化太陽電池填充性能的燒結方法。
背景技術
晶體硅太陽電池的金屬化工序包括在電池背面和正面印刷上Al(鋁)漿和Ag(銀)漿,然后在快速燒結爐中經歷低溫烘干和高溫燒結,形成良好的金屬-半導體接觸。
目前,太陽電池的燒結一般采用鏈式燒結爐。在印刷完成后,電池前電極Ag漿朝上放置進入燒結爐,在一定的帶速下,電池依次經過烘干,升溫和燒結,降溫等過程完成。在整個燒結工藝中,電池始終是前電極Ag漿朝上而背面Al漿朝下放置,如圖1所示。在這種燒結工藝中,正面Ag漿可以很好的形成Ag-Si接觸,而背面的Al漿由于重力作用影響往往燒結性能更差,這在下一代背鈍化太陽電池中表現更加明顯:在背鈍化電池中,由于背面鈍化膜的存在,需要在鈍化膜上開孔,Al漿只在開孔處與硅形成接觸。在傳統的燒結過程中,Al漿面在下,重力的作用使得Al漿只能通過擴散的方式向開孔區域流動,受Kirkendall效應(硅在鋁中的擴散速度大于鋁在硅中的擴散速度)的影響,Al漿不易填充開孔區域而很容易形成空洞。經統計,背鈍化電池局部鋁背場的空洞比例可高達50%以上。空洞處不僅BSF窄,鈍化性能不好,而且增大了電池的串阻Rs,導致填充性能和電池效率的降低。
發明內容
本發明要解決的技術問題是:克服現有技術的不足,提供一種改善背鈍化太陽電池填充性能的燒結方法,提高背面Al漿的燒結性能,減少空洞。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種改善背鈍化太陽電池填充性能的燒結方法,具體的燒結步驟如下:
(1)漿料烘干:印刷有Al漿和Ag漿的太陽電池片由正面的Ag漿朝上放置進入燒結爐,經第一溫度區進行漿料烘干,烘干溫度為200~400℃,時間為30~50s;
(2)翻轉和Al燒結:太陽電池片經過升溫區,升溫時間15~25s升溫到500~550℃時將太陽電池片翻轉,使太陽電池片背面的Al漿朝上放置進入燒結爐進行Al燒結,Al燒結時間20~30s,Al燒結溫度為550~750℃,此段燒結區的爐帶采用石英爐帶;
(3)二次翻轉和Ag燒結:燒結爐溫度升至750~780℃時,再次將太陽電池片翻轉,使太陽電池片正面的Ag漿朝上放置,進行Ag燒結;在Ag燒結區,溫度繼續升高至900℃左右,Ag燒結時間為20~30s;
(4)快速降溫:時間0.5~1min內降溫,燒結工藝完成。
本發明的有益效果是:通過上述燒結工藝以及在燒結過程中增加硅片翻轉工藝轉而使背面Al漿朝上進行Al燒結,改善背面Al漿的燒結性能,減小空洞的產生;Ag燒結時又將電池翻轉回Ag面朝上放置,保證正面發射極不受污染;可使電池的填充因子提高0.5%-1%,效率提升0.1-0.3%。
附圖說明
下面結合附圖對本發明進一步說明。
圖1是現有技術中的電池片放置示意圖;
圖2是本發明的工藝Al燒結時的電池片放置示意圖;
具體實施方式
現在結合附圖對本發明作進一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本發明的基本結構,因此其僅顯示與本發明有關的構成。
如圖2所示,一種改善背鈍化太陽電池填充性能的燒結方法,具體的燒結步驟如下:
(1)漿料烘干:印刷有Al漿和Ag漿的太陽電池片由正面的Ag漿朝上放置進入燒結爐,經第一溫度區進行漿料烘干,烘干溫度為200~400℃,時間為30~50s;
(2)翻轉和Al燒結:太陽電池片經過升溫區,升溫時間15~25s升溫到500~550℃時將太陽電池片翻轉,使太陽電池片背面的Al漿朝上放置進入燒結爐進行Al燒結,Al燒結時間20~30s,Al燒結溫度為550~750℃,此段燒結區的爐帶采用石英爐帶,避免對發射極造成污染;
(3)二次翻轉和Ag燒結:燒結爐溫度升至750~780℃時,再次將太陽電池片翻轉,使太陽電池片正面的Ag漿朝上放置,進行Ag燒結;在Ag燒結區,溫度繼續升高至900℃左右,Ag燒結時間為20~30s;
(4)快速降溫:時間0.5~1min內降溫,燒結工藝完成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





