[發(fā)明專利]蓄電元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210140633.3 | 申請日： | 2012-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN102780035B | 公開（公告）日： | 2017-12-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 加古智典;長谷川英史;西江勝志;森澄男 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社杰士湯淺國際 |
| 主分類號： | H01M10/0567 | 分類號： | H01M10/0567;H01M2/18;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人： | 蔣亭 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 元件 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種蓄電元件，其為具備正極、負(fù)極、配置在所述正極與所述負(fù)極之間的間隔件、以及使電解質(zhì)溶解在非水溶劑中而得的非水電解質(zhì)溶液的蓄電元件，
該元件具備配置在所述正極與所述負(fù)極之間的無機(jī)填充劑層，
所述非水電解質(zhì)溶液含有二氟雙(草酸根)合磷酸鋰，
所述正極和負(fù)極具備活性物質(zhì)層，
所述無機(jī)填充劑層配置于所述間隔件的表面或所述負(fù)極的活性物質(zhì)層表面，
其中，所述無機(jī)填充劑層所含的Si元素的SiO2換算質(zhì)量比率為40％以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蓄電元件，其中，所述無機(jī)填充劑層的空孔率為所述間隔件的空孔率以上且為70體積％以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蓄電元件，其中，所述無機(jī)填充劑層的厚度為3μm以上且為所述間隔件的厚度以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蓄電元件，其中，在所述非水電解質(zhì)溶液中含有0.2質(zhì)量％～1質(zhì)量％的所述二氟雙(草酸根)合磷酸鋰。
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