[發(fā)明專利]發(fā)光二極管裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210140315.7 | 申請(qǐng)日： | 2012-05-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103390704A | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 盧怡安;許進(jìn)恭;施雅萱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華夏光股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京泛誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11298 | 代理人： | 陳波;文琦 |
| 地址： | 開曼群島KY1-11*** | 國(guó)省代碼： | 開曼群島;KY |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管裝置，包含：
至少一發(fā)光二極管單元，該發(fā)光二極管單元包含：
一基板；
一電性耦合層，位于所述基板上，該電性耦合層材質(zhì)系為III族氮化物；
一并接型磊晶結(jié)構(gòu)，位于所述電性耦合層上；及
一中間層，位于所述電性耦合層與所述并接型磊晶結(jié)構(gòu)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之發(fā)光二極管裝置，其中所述電性耦合層的摻雜電性為n型。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述之發(fā)光二極管裝置，其中所述并接型磊晶結(jié)構(gòu)包含：
一第一p型摻雜層，位于所述中間層上；
一第一量子阱層，位于所述第一p型摻雜層上；
一n型摻雜層，位于所述第一量子阱層上；
一第二量子阱層，位于所述n型摻雜層上；及
一第二p型摻雜層，位于所述第二量子阱層上；
其中所述中間層使得所述電性耦合層與所述第一p型摻雜層之間的壓降趨近于零。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述之發(fā)光二極管裝置，還包含：
一超晶格結(jié)構(gòu)，形成于所述第一p型摻雜層與所述第一量子阱層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述之發(fā)光二極管裝置，還包含：
一第一電極，形成于所述電性耦合層的一暴露表面；
一第二電極，形成于所述第二p型摻雜層的一表面；及
一第三電極，形成于所述n型摻雜層的一暴露表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述之發(fā)光二極管裝置，其中所述中間層包含一隧穿層或一奧姆接觸層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述之發(fā)光二極管裝置，其中所述至少一發(fā)光二極管單元包含多個(gè)所述發(fā)光二極管單元，以陣列型式排列，且包含：
一第一聯(lián)機(jī)組件，用以電性連接所述發(fā)光二極管單元之所述第一電極與所述第二電極；及
一第二連接組件，用以電性連接所述發(fā)光二極管單元之所述第三電極與相鄰發(fā)光二極管單元之所述第一電極或所述第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述之發(fā)光二極管裝置，其中所述第一聯(lián)機(jī)組件與所述第二連接組件獨(dú)立選自以下組中之一：內(nèi)聯(lián)機(jī)與焊線。
9.一種發(fā)光二極管裝置，包含：
至少一發(fā)光二極管單元，該發(fā)光二極管單元包含：
一導(dǎo)電層；
一并接型磊晶結(jié)構(gòu)，位于所述導(dǎo)電層上；
一電性耦合層，位于所述并接型磊晶結(jié)構(gòu)上，該電性耦合層材質(zhì)系為III族氮化物；及
一中間層，位于所述并接型磊晶結(jié)構(gòu)與所述電性耦合層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述之發(fā)光二極管裝置，其中所述電性耦合層的摻雜電性為n型。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述之發(fā)光二極管裝置，其中所述并接型磊晶結(jié)構(gòu)包含：
一第二p型摻雜層，位于所述導(dǎo)電層上；
一第二量子阱層，位于所述第二p型摻雜層上；
一n型摻雜層，位于所述第二量子阱層上；
一第一量子阱層，位于所述n型摻雜層上；及
一第一p型摻雜層，位于所述第一量子阱層上；
其中所述中間層使得所述電性耦合層與所述第一p型摻雜層之間的壓降趨近于零。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述之發(fā)光二極管裝置，還包含：
一超晶格結(jié)構(gòu)，形成于所述第一p型摻雜層與所述第一量子阱層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述之發(fā)光二極管裝置，還包含：
一反射層，形成于所述導(dǎo)電層與所述第二p型摻雜層之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述之發(fā)光二極管裝置，還包含：
一第一電極，形成于所述電性耦合層的一暴露表面；及
一第三電極，形成于所述n型摻雜層的一暴露表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述之發(fā)光二極管裝置，其中所述中間層包含一隧穿層或一奧姆接觸層。
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