[發(fā)明專(zhuān)利]一種Y4Si3O12 晶須的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210140071.2
• 申請(qǐng)日: 2012-05-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102677174A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃劍鋒;楊柳青;曹麗云;王雅琴
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 陜西科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C30B29/34
• 分類(lèi)號(hào): C30B29/34;C30B7/10;C30B29/62
• 代理公司: 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 陸萬(wàn)壽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種形貌可控的Y₄Si₃O₁₂的制備方法，具體涉及一種Y₄Si₃O₁₂晶須的制備方法。

背景技術(shù)

硅酸釔材料自身具備的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及一系列優(yōu)異的物理化學(xué)性能，如低彈性模量、低高溫氧氣滲透率、低線膨脹系數(shù)、低高溫?fù)]發(fā)率、耐化學(xué)腐蝕等特性，使其成為一種高性能結(jié)構(gòu)材料，被廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域。硅酸釔存在三種晶相結(jié)構(gòu)，分別是Y₂SiO₅、Y₂Si₂O₇及Y₄Si₃O₁₂。

目前，雖然關(guān)于Y₄Si₃O₁₂的文獻(xiàn)報(bào)道非常少，其晶格常數(shù)也還尚未見(jiàn)報(bào)道，但由于其熔點(diǎn)高達(dá)1950℃，具有極低的高溫氧氣滲透率，同時(shí)Y₄Si₃O₁₂的熱膨脹系數(shù)（4.31×10^-6K^-1）與SiC內(nèi)涂層的熱膨脹系數(shù)（4.5×10^-6K^-1）非常接近[Sun?ZQ,Zhou?YC,Wang?JY,et?al.γ-Y₂Si₂O₇,amachinable?silicate?ceramic:mechanical?properties?and?machinability.TheAmerican?Ceramic?Society,2007,90(8):2535-2541.]，并且Y₄Si₃O₁₂與SiC之間有很好的物理化學(xué)相容性[Ogura?Y，Kondo?M，Morimoto?T.Oxygenpermeability?of?Y₂SiO₅.Materials?Transactions[J],2001,42(6):1124-1130.]，因而被認(rèn)為是以SiC為內(nèi)涂層的復(fù)合涂層結(jié)構(gòu)中最理想的外涂層材料之一，在高溫防氧化材料方面有著廣泛的應(yīng)用前景。