[發(fā)明專利]一種Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210139480.0 | 申請日： | 2012-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN102653830A | 公開（公告）日： | 2012-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姜大強(qiáng);陳巖;崔立山;郝世杰;茹亞東;蔣小華 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國石油大學(xué)(北京) |
| 主分類號： | C22C14/00 | 分類號： | C22C14/00;C22C30/00;C22C32/00;C22F1/18;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香蘭;韓蕾 |
| 地址： | 102249*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 ti sub si tini 記憶 合金 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料，以該記憶合金復(fù)合材料的總量計(jì)，其包括以下成分：原子百分比為6-33％的Si元素，以原子百分比計(jì)Ti、Si、Ni三元素滿足(50+x-y)∶3x∶(50-4x+y)，其中x＝2-11，y＝0-3，Ti、Ni和Si三種元素的原子百分?jǐn)?shù)之和為100％。
2.如權(quán)利要求1所述的Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料，其中，當(dāng)x＝10/3時(shí)，所述Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料為共晶型復(fù)合材料；當(dāng)x＞10/3時(shí)，所述Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料為過共晶型復(fù)合材料；當(dāng)x＜10/3時(shí)，所述Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料為亞共晶型復(fù)合材料。
3.如權(quán)利要求1所述的Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料，其中，所述復(fù)合材料由TiNi相和Ti5Si3相組成。
4.如權(quán)利要求1所述的Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料，其中，所述復(fù)合材料還含有1-5at.％的Fe元素，并且，所述Fe元素的量計(jì)入所述Ni元素的原子百分比中。
5.如權(quán)利要求1所述的Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料，其中，所述復(fù)合材料為鑄錠。
6.權(quán)利要求1-5所述的Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料的制備方法，其包括以下步驟：
按Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料的成分配比選取純度在99wt.％以上的單質(zhì)硅、單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳；
將單質(zhì)硅、單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳放入真空度高于10-1Pa或惰性氣體保護(hù)的熔煉爐中，熔煉成Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料；
當(dāng)所述Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料含有Fe元素時(shí)，將純度在99wt.％以上的單質(zhì)鐵與單質(zhì)鈦、單質(zhì)硅、單質(zhì)鎳一起放入熔煉爐中。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其中，所述制備方法還包括：將熔煉得到的Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料澆鑄成鑄錠。
8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其中，所述制備方法還包括：在真空度高于10-1Pa的真空中或惰性氣體保護(hù)中對所述鑄錠進(jìn)行均勻化退火。
9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其中，所述均勻化退火溫度為800-1050℃，時(shí)間為5-60h。
10.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其中，所述均勻化退火溫度為950℃，時(shí)間為10h。
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