[發明專利]強磁場下電子束注入約束方法及其裝置有效
| 申請號： | 201210139435.5 | 申請日： | 2012-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN102708931A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 丁永華;金海;王能超;岑義順 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | G21B1/05 | 分類號： | G21B1/05 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁場 電子束 注入 約束 方法 及其 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種強磁場下電子束注入約束的方法，其特征在于：在磁場中外加一個電場，該電場在沿磁場方向上形成電勢阱位形，在垂直于磁場方向形成漂移電場，在所述電勢阱中，電子束受到電場力分量的作用沿磁力線方向做往復運動，并在垂直磁力線方向上以電場漂移速度橫越磁力線。
2.一種強磁場下電子束注入約束的裝置，其特征在于：該裝置包括負極板，正極板，陰極，以及第一、第二阱極板；負極板與正極板相對并與磁場方向平行放置，用于在加正負電壓后形成漂移電場區；第一、第二阱極板板板沿磁場方向相對放置，用于在加相同的負偏壓后形成電勢阱區；陰極的發射面處于電勢阱中。
3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于：陰極的發射面法向與負極板法向的夾角為
50°～70°。
4.根據權利要求2或3所述的裝置，其特征在于：第一阱極板、負極板和第二阱極板依次連成一體，形成弧形或者彎曲形狀，陰極斜插在負極板中，且陰極面不能處于比負極板更低的電位下。
5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于：第一阱極板、負極板和第二阱極板能夠在一維豎直方向移動調節。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華中科技大學，未經華中科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210139435.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
