[發(fā)明專利]反射式聚光型太陽能電池模組無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210139190.6 | 申請日： | 2012-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN103378206A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邱正杰;莊惠如;陳皇宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 南美特科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/052 | 分類號： | H01L31/052;H01L31/0216;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人： | 張艷贊 |
| 地址： | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 反射 聚光 太陽能電池 模組 | ||
1.一種反射式聚光型太陽能電池模組，其特征在于，所述反射式聚光型太陽能電池模組包含：
一反射式聚光鏡，其通過反射太陽光以形成一聚光區(qū)；
一太陽能電池芯片，其設(shè)置于所述反射式聚光鏡形成的聚光區(qū)，所述太陽能電池芯片的一受光面朝向所述反射式聚光鏡；以及
一紅外光阻隔元件，其配置于所述反射式聚光鏡、聚光區(qū)與太陽能電池芯片的上方，接近所述太陽能電池芯片相對于受光面的另一面，并作為阻隔紅外光能量的元件，所述紅外光阻隔元件在400nm至750nm的光穿透率介于60%~90%之間，且在1100nm至1500nm的光穿透率介于10%~50%之間。
2.如權(quán)利要求1所述的反射式聚光型太陽能電池模組，其特征在于，所述太陽能電池芯片選自單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池、硅薄膜太陽能電池、三五族化合物太陽能電池、染料敏化太陽能電池、碲化鎘太陽能電池，銅銦鉀硒太陽能電池或染料敏化太陽能電池。
3.如權(quán)利要求1所述的反射式聚光型太陽能電池模組，其特征在于，所述太陽能電池芯片選自硅薄膜太陽能電池或染料敏化太陽能電池。
4.如權(quán)利要求1所述的反射式聚光型太陽能電池模組，其特征在于，所述紅外光阻隔元件由一紅外光吸收層涂布于一透明基板上所形成，且所述透明基板的材質(zhì)選自玻璃或塑料。
5.如權(quán)利要求4所述的反射式聚光型太陽能電池模組，其特征在于，所述紅外光吸收層的材料為一金屬氧化物，且金屬選自銻、鎢、釩、鐵、鉻、鉬、鈮、鈷、鎳、錫或其混合物。
6.如權(quán)利要求1所述的反射式聚光型太陽能電池模組，其特征在于，所述紅外光阻隔元件為一直接一體成型的紅外光吸收玻璃。
7.如權(quán)利要求1所述的反射式聚光型太陽能電池模組，其特征在于，所述反射式聚光鏡的聚光倍率介于500倍到900倍之間。
8.如權(quán)利要求1所述的反射式聚光型太陽能電池模組，其特征在于，所述反射式聚光鏡的一弧凹狀反光面由高反射率的反光材料布設(shè)而成。
9.如權(quán)利要求1所述的反射式聚光型太陽能電池模組，其特征在于，所述太陽能電池芯片直接粘著于紅外光阻隔元件上。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
