[發(fā)明專利]邊緣安裝的傳感器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210139177.0 | 申請日: | 2012-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN102680735A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·福斯特 | 申請(專利權(quán))人: | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號: | G01P15/00 | 分類號: | G01P15/00;G01P15/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 原紹輝 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 邊緣 安裝 傳感器 | ||
1.一種方法,包括:
在硅機械層(25)中建立至少一個傳感器裝置,該硅機械層結(jié)合到第一玻璃層(24);
將第二玻璃層(26)附接到硅機械層以建立晶片;
在第一或第二玻璃層的至少一個中建立至少一個第一通路(30)以暴露硅機械層表面上的預(yù)定義區(qū)域;
在第一或第二玻璃層的至少一個中建立至少一個第二通路(30),所述至少一個第二通路的深度尺寸小于所述至少一個第一通路的深度尺寸;
在硅機械層上的暴露區(qū)域和所述至少一個第二通路的至少一部分之間施加金屬徑跡(70、72);
將所述晶片切分從而所述至少一個第二通路被分成兩段,由此建立第一傳感器裸芯;并且
將所切分的傳感器裸芯中的第一個在被切分的第二通路的壁的其余部分的一部分處電地且機械地結(jié)合到電路板。
2.如權(quán)利要求1的方法,其中傳感器裝置被氣密地密封在第一或第二玻璃層之間。
3.如權(quán)利要求2的方法,其中所述至少一個傳感器裝置包括加速度計。
4.如權(quán)利要求3的方法,還包括將一個或多個其它傳感器裸芯附接到所述電路板,使得所述一個或多個其它傳感器裸芯的感測軸線垂直于第一傳感器裸芯的感測軸線。
5.一種傳感器裸芯組件(20),包括:
硅機械層(25),其結(jié)合到第一玻璃層(24),該機械層包括傳感器裝置;
第二玻璃層(26),其附接到所述硅機械層;
在第一或第二玻璃層的至少一個中的至少一個第一通路(30),其被構(gòu)造成暴露所述硅機械層表面上的預(yù)定義區(qū)域;
在第一或第二玻璃層的至少一個中的至少一個第二通路(30),所述至少一個第二通路的深度尺寸小于所述至少一個第一通路的深度尺寸;以及
金屬徑跡(70、72),其位于所述硅機械層上的暴露區(qū)域和所述至少一個第二通路的至少一部分之間。
6.如權(quán)利要求5的組件,其中所述傳感器裝置被氣密地密封在第一或第二玻璃層之間。
7.如權(quán)利要求6的組件,其中所述至少一個傳感器裝置包括加速度計。
8.一種加速度計組件,包括:
第一傳感器裸芯(90),包括:
硅機械層(92),其結(jié)合到第一玻璃層(94),所述機械層包括傳感器裝置;
第二玻璃層(96),其附接到所述硅機械層;
在第一或第二玻璃層的至少一個中的至少一個第一通路(100),
其被構(gòu)造成暴露硅機械層表面上的預(yù)定義區(qū)域;
在第一或第二玻璃層的至少一個中的至少一個第二通路,所述至少一個第二通路(102)的深度尺寸小于所述至少一個第一通路的深度尺寸;
金屬徑跡(104),其位于硅機械層上的暴露區(qū)域和所述至少一個第二通路的至少一部分之間;
電路板(22);
第二和第三傳感器裸芯,其由用于建立第一傳感器裸芯的晶片形成,其中第二和第三傳感器裸芯的每一個都包括傳感器裝置;和
多個金屬焊珠,其構(gòu)造成機械地且電地將第一、第二和第三裸芯結(jié)合到電路板,使得每一個傳感器裝置的感測軸線都垂直。
9.如權(quán)利要求8的組件,其中傳感器裝置被氣密地密封在第一或第二玻璃層之間。
10.如權(quán)利要求9的組件,其中傳感器裝置包括加速度計。
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