[發明專利]LED陶瓷支架及其制備方法

有效

• 申請號: 201210139133.8
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN102709439A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 吳朝暉;劉浩;韋元寶;徐芳莉
• 申請（專利權）人: 東莞市凱昶德電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 彭長久

1.一種LED陶瓷支架，其特征在于：包括有陶瓷基板以及設置于陶瓷基板上的銅線路；該陶瓷基板上設置有通孔，該銅線路穿過該通孔，銅線路的上下兩端分別延伸并露出陶瓷基板的上下表面，銅線路與陶瓷基板之間設置有鈦層，該鈦層的厚度為0.05～0.2μm。

2.根據權利要求1所述的LED陶瓷支架，其特征在于：所述陶瓷基板的主要成分為氧化鋁，氧化鋁的質量百分含量大于95%。

3.根據權利要求1所述的LED陶瓷支架，其特征在于：所述陶瓷基板和銅線路的上下表面均鍍有鎳層，該鎳層的表面上鍍有金層或銀層。

4.根據權利要求3所述的LED陶瓷支架，其特征在于：所述金層或銀層的厚度為5～10μm。

5.一種LED陶瓷支架的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）打孔，在陶瓷基板上進行打孔而形成通孔，為LED陶瓷支架的導電連接作前處理；

（2）超聲波清洗，對打孔后的陶瓷基板進行超聲波清洗，然后烘干，去除陶瓷基板表面及通孔內壁面上的雜質和沾污；

（3）離子源蝕刻，對超聲波清洗后的陶瓷基板表面及通孔內壁面進行線性離子源蝕刻處理；

（4）磁控濺鍍，以真空磁控濺鍍方式在離子源蝕刻后的陶瓷基板表面及通孔內壁面上依序形成一鈦層以及一銅層，該鈦層的厚度為0.05～0.2μm；

（5）化學沉銅，利用化學沉銅消除前述步驟（4）中陶瓷基板表面及通孔內壁上不具有導電作用的氣孔或者氣泡，使陶瓷基板表面及通孔內壁面能夠完全地導通；

（6）貼干膜、曝光、顯影，在沉銅后的陶瓷基板上貼干膜，然后利用光罩于陶瓷基板的表面上進行曝光、顯影處理，以獲得線路圖案；

（7）電鍍加厚，在陶瓷基板的線路圖案上電鍍銅加厚，并填充前述通孔而形成銅線路；

（8）鍍錫，在銅線路表層鍍錫，以保護銅線路不被蝕刻掉；

（9）去干膜，去除陶瓷基板表面上殘留的干膜；

（10）去鈦、銅層，利用蝕刻方式去除陶瓷基板表面除銅線路以外的鈦層及銅層；

（11）去錫，去除銅線路表層的錫層。

6.根據權利要求5所述的LED陶瓷支架的制備方法，其特征在于：所述陶瓷基板的主要成分為氧化鋁，氧化鋁的質量百分含量大于95%。

7.根據權利要求5所述的LED陶瓷支架的制備方法，其特征在于：步驟（4）中濺鍍所形成的銅層厚度為0.5～2.0μm。

8.根據權利要求5所述的LED陶瓷支架的制備方法，其特征在于：步驟(5)中化學沉銅的厚度為2～5μm。

9.根據權利要求5所述的LED陶瓷支架的制備方法，其特征在于：進一步包括有以下步驟：

（12）鍍鎳，在前述陶瓷基板和銅線路的表面鍍上鎳層；

（13）鍍金/銀，在前述鎳層的表面鍍上金層或者銀層。

10.根據權利要求9所述的LED陶瓷支架的制備方法，其特征在于：步驟（13）中鍍金層或者銀層的厚度為5～10μm。