[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210139034.X
• 申請日: 2009-04-14
• 公開（公告）號: CN102683320A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設計）人: 高岡洋道;窪田吉孝;津田浩嗣
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導體裝置，包括：

基板；

電熔絲，所述電熔絲包括：

下層互連，形成在所述基板上方；

通孔，提供在所述下層互連上，以便連接到所述下層互連；以及

上層互連，提供在所述通孔上，以便連接到所述通孔；

以及

第一導電吸熱構(gòu)件和第二導電吸熱構(gòu)件，所述第一導電吸熱構(gòu)件和所述第二導電吸熱構(gòu)件夾著所述下層互連、所述通孔和所述上層互連，

其中所述第一導電吸熱構(gòu)件和所述第二導電吸熱構(gòu)件之間的距離在所述第一導電吸熱構(gòu)件和所述第二導電吸熱構(gòu)件夾著所述上層互連的區(qū)域處縮短。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中所述電熔絲包括在所述下層互連和所述通孔之間以及在所述通孔中之一形成的切斷點。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中在包括在其中形成的所述上層互連的層中，所述上層互連和所述第一導電吸熱構(gòu)件之間的距離等于或小于所述通孔的通孔直徑的六倍。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中在包括在其中形成的所述上層互連的層中，所述上層互連和所述第一導電吸熱構(gòu)件之間的距離等于或小于所述通孔的通孔直徑的四倍。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中：

所述第一導電吸熱構(gòu)件還提供在包括在其中形成的所述通孔的層以及包括在其中形成的所述下層互連的層的每一個中，以便在包括在其中形成的所述下層互連形的層、包括在其中形成的所述通孔的層以及包括在其中形成的所述上層互連的層上方連續(xù)形成；以及

所述上層互連與包括在其中形成的所述上層互連的層中形成的所述第一導電吸熱構(gòu)件之間的距離比所述下層互連與包括在其中形成的所述下層互連的層中形成的所述第一導電吸熱構(gòu)件之間的距離窄。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中在切斷之后的狀態(tài)中，所述電熔絲通過形成流出部而被切斷，所述流出部在形成所述上層互連的電導體流到所述上層互連的外部時形成，并且所述流出部形成在所述上層互連上。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一導電吸熱構(gòu)件被形成為吸收在所述上層互連中產(chǎn)生的熱，以防止形成所述上層互連的電導體流到所述上層互連下方。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中所述電熔絲的所述上層互連具有比所述電熔絲的所述下層互連大的體積。

9.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一導電吸熱構(gòu)件被提供成與所述上層互連平行。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中所述下層互連、所述通孔或所述上層互連的側(cè)面和底面被提供有阻擋金屬膜。

11.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中所述上層互連的膨脹量大于所述下層互連的膨脹量，以使所述上層互連中的電導體流出。

12.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中所述上層互連的長度大于所述下層互連的長度。

13.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中所述上層互連連接到在與所述上層互連相同的層中形成的上層端子，并且所述下層互連連接到在與所述下層互連相同的層中形成的下層端子。

14.根據(jù)權利要求13所述的半導體裝置，其中所述上層端子包括與所述上層互連相同的材料，并且所述下層端子包括與所述下層互連相同的材料。

15.根據(jù)權利要求14所述的半導體裝置，其中所述電熔絲包括層間絕緣膜，并且所述下層互連被提供在所述層間絕緣膜中。

16.根據(jù)權利要求14所述的半導體裝置，其中所述電熔絲包括層間絕緣膜，并且所述上層互連被提供在所述層間絕緣膜中。