[發明專利]一種電源轉換芯片的多芯片封裝結構

無效

• 申請號: 201210138744.0
• 申請日: 2012-05-02
• 公開（公告）號: CN102664175A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 曾慶鋼
• 申請（專利權）人: 無錫虹光半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L25/07
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電源轉換芯片封裝結構，其中包括：

一芯片座，包括一芯片座底板及多個金屬引腳，其中部分引腳與芯片座底板直接連接，部分引腳與芯片座底板不直接連接；

一第一芯片，其正面為A極、B極，背面為C極；

一第二芯片，其正面有若干個引線區；

一不導電膠，用于將第二芯片粘貼固定于第一芯片的適當位置上；

一導電膠，用于將第一芯片粘貼固定于芯片座底板的適當位置上；

多條第一焊線，用于將第一芯片與芯片座引腳電性連接；

多條第二焊線，用于將第二芯片與芯片座引腳及第一芯片電性連接；

一封裝管殼，用于將上述芯片座底板、第一芯片、第二芯片、不導電膠、導電膠、第一焊線及第二焊線封裝在其內，而芯片座引腳露出在封裝管殼之外，成為封裝后的集成電路引腳。

2.如權利要求1所述的電源轉換芯片封裝結構，其特征在于借由所述的芯片座底板承載第一芯片，第一芯片正面朝上，通過導電膠粘貼固定于芯片座底板上的適當位置。

3.如權利要求1所述的電源轉換芯片封裝結構，其特征在于借由所述的第一芯片承載第二芯片，第二芯片正面朝上，通過不導電膠粘貼固定于第一芯片的適當位置上。

4.如權利要求1所述的電源轉換芯片封裝結構，其特征在于所述的芯片座根據電源轉換芯片的實際應用需求，可以為任何封裝型號、尺寸，其材料應為銅、鋁等金屬導電材料，以提高導電性及散熱效果。

5.如權利要求1所述的電源轉換芯片封裝結構，其特征在于所述的第一芯片根據電源轉換芯片的實際應用需求可以是場效應晶體管(MOSFET)、雙極型晶體三極管(BJT)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，其中正面為A極、B極，背面為C極；當第一芯片為場效應晶體管(MOSFET)時，A極為柵極，B極為源極，C極為漏極；當第一芯片為雙極型晶體三極管(BJT)時，A極為基極，B極為發射極，C極為集電極；當第一芯片為絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)時，A極為柵極，B極為發射極，C極為集電極。

6.如權利要求1所述的電源轉換芯片封裝結構，其特征在于所述的第二芯片為電源轉換控制芯片，其正面有若干個引線區。