[發明專利]基于碳納米管的三維網格式芯片熱量傳導模型

有效

• 申請號: 201210138728.1
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN102664171A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 黃嘉樂;張薇;單軍銘;楊勝齊
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

1.一種基于碳納米管的三維網格式芯片熱量傳導模型，構成芯片層(3)與熱傳導器層(1)之間的熱界面材料層(2),其特征在于：所述熱界面材料層(2)是基于碳納米管的熱界面材料層，由基于碳納米管的熱通孔(5)和基于碳納米管的網格層(4)組成，基于碳納米管的熱通孔(5)構成芯片層(3)至基于碳納米管的網格層(4)的快速傳熱通道，從而，基于碳納米管的熱通孔(5)將芯片層(3)上的熱量快速轉移到基于碳納米管的網格層(4)上，接著，熱量經過基于碳納米管的網格層(4)中的水平橫向和縱向的碳納米管(6、7)傳輸到整個芯片層(1)以實現熱量的均勻分布。

2.根據權利要求1所述的基于碳納米管的三維網格式芯片熱量傳導模型,其特征在于:所述碳納米管的熱通孔(5)是由5*5陣列碳納米管組成的碳納米管束。

3.根據權利要求1所述的基于碳納米管的三維網格式芯片熱量傳導模型，其特征在于:所述基于碳納米管網格層(4)由水平橫向碳納米管(6)疊層和水平縱向碳納米管(7)疊層組成；水平橫向的碳納米管(6)疊層由兩層碳納米管疊加組成，每一層碳納米管層由若干根均勻分布的碳納米管組成，貼置在與芯片層相連的絕緣層之上；水平縱向碳納米管(7)疊層由兩層碳納米管疊加組成，每一層碳納米管層由若干根均勻分布的碳納米管組成，位于水平橫向碳納米管(6)疊層上。

4.根據權利要求1、或2、或3、所述的基于碳納米管的三維網格式芯片熱量傳導模型，其特征在于：在芯片層(3)上面形成基于碳納米管的網格層(4),在該基于碳納米管的網格層中豎直方向插入基于碳納米管的熱通孔(5)。