[發明專利]背面接觸硅太陽能電池方法及含背面接觸的硅太陽能電池

有效

• 申請號: 201210138673.4
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102769067A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 威藍·碧斯;哈洛·韓;克利斯汀·史克雷格爾;托爾斯坦·韋柏;馬汀·庫哲
• 申請（專利權）人: 太陽能界先趨有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/05
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種用于接觸硅太陽能電池的方法，包括下列步驟：

提供具有前面及背面的預處理硅基板；

在所述預處理硅基板的所述背面上沉積鋁，其中無鋁區域保持在所述背面；以及

沉積適于在所述硅基板的所述背面上焊接的無銀層，使得適于焊接的所述無銀層至少覆蓋所述背面上的所述無鋁區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在沉積鋁之前，在所述預處理硅基板的所述背面上沉積介電層，所述介電層包含以下化合物至少其中之一：氮化硅、氧化硅、碳化硅、非晶硅、氧化鋁。

3.根據權利要求1或2所述的方法，在所述預處理硅基板的所述背面上沉積包括下列步驟：

在所述預處理硅基板的所述背面上絲網印刷鋁層，其中所述無鋁區域保持在所述背面；以及

加熱所述鋁層以使鋁擴散進入所述預處理硅基板。

4.根據權利要求3所述的方法，其中加熱所述鋁層遍及整個表面進行。

5.根據權利要求3所述的方法，加熱所述鋁層以逐點方式進行，優選以激光加熱進行，以在所述鋁層及所述預處理硅基板之間產生點狀電連接。

6.根據權利要求1至5任一項所述的方法，其中適于焊接的所述無銀層是沉積遍及被提供有所述鋁層的所述預處理硅基板的所述背面的整個表面。

7.根據權利要求1至6任一項所述的方法，其中適于焊接的所述無銀層是由鎳釩、鎳、銅、鈦或鋅組成。

8.根據權利要求1至7任一項所述的方法，其中適于焊接的所述無銀層是利用濺射、化學氣相沉積、電漿噴涂、熱噴涂或電流沉積以非接觸方式沉積。

9.一種具有至少一接觸的硅太陽能電池，包含：

預處理硅基板，具有前面及背面；

鋁層，位于所述預處理硅基板的所述背面上，所述鋁層包含以數組形式設置的無鋁區域；以及

適于焊接的無銀層，所述適于焊接的無銀層至少覆蓋所述背面上的所述無鋁區域。

10.根據權利要求9所述的硅太陽能電池，其中介電層被提供在所述鋁層下方的所述預處理硅基板的所述背面上，所述介電層包含以下化合物至少其中之一：氮化硅、氧化硅、碳化硅、非晶硅、氧化鋁。

11.根據權利要求10所述的硅太陽能電池，其中在所述鋁層及所述預處理硅基板之間提供點狀電連接，優選的是鋁接觸點。

12.根據權利要求9至11任一項所述的硅太陽能電池，所述鋁層包含10至100μm的厚度，所述適于焊接的無銀層具有10至100nm的厚度。

13.根據權利要求9至12任一項所述的硅太陽能電池，所述無鋁區域的數組是以行排列。

14.根據權利要求9至13任一項所述的硅太陽能電池，所述無鋁區域的數組具有小于1mm的寬度，特別是小于0.5mm。

15.根據權利要求9至14任一項所述的硅太陽能電池，所述適于焊接的無銀層是由鎳釩、鎳、銅、鈦或鋅組成。

16.一種硅太陽能電池，包括：

預處理硅基板，具有前面、背面以及用于連接其它太陽能電池的接觸區域；

至少一第一接觸區，用于在所述預處理硅基板的所述背面上形成電連接，所述第一接觸區域包含適于在鋁層中進行焊接的無銀層；以及

至少一第二接觸區，用于在所述預處理硅基板的所述背面上形成機械連接，所述第二接觸區包含適于在所述硅基板的無鋁區域中進行焊接的無銀層。

17.根據權利要求16所述的硅太陽能電池，所述預處理硅基板包含位于所述鋁層下方的介電層。

18.根據權利要求16或17所述的硅太陽能電池，其中所述第一接觸區的面積比所述第二接觸區的面積大至少十倍。

19.一種硅太陽能模塊，至少包含根據權利要求9至18任一項所述的第一硅太陽能電池及第二硅太陽能電池，所述硅太陽能電池被串聯連接，其中所述第一硅太陽能電池的前面接觸由至少一接觸連接器連接至所述第二硅太陽能電池的背面接觸，所述接觸連接器分別被焊接至所述適于在所述硅太陽能電池的本體的所述背面表面上的至少一無鋁區域的區域中進行焊接的所述無銀層。