[發明專利]一種JFET器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201210138212.7
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102646701A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 呂宇強;楊海波
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/36
• 分類號: H01L29/36;H01L29/40;H01L29/808;H01L21/28;H01L21/762;H01L21/337
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種JFET器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

形成于所述半導體襯底中的漂移區，所述漂移區的摻雜濃度為線性變化；

位于所述漂移區表面的柵極；

位于所述漂移區表面的源極和漏極，且所述源極和漏極位于所述柵極的兩側；

位于所述漂移區表面的場氧，且所述場氧位于所述柵極和所述漏極之間；

位于所述場氧上的階梯場板。

2.如權利要求1所述的JFET器件，其特征在于，所述半導體襯底為P-襯底。

3.如權利要求1所述的JFET器件，其特征在于，所述漂移區為從漏極到源極濃逐漸變淡的N阱。

4.如權利要求3所述的JFET器件，其特征在于，所述N阱的結深為小于等于12um。

5.如權利要求3所述的JFET器件，其特征在于，所述柵極包括柵極P型體區和柵極P型引出區，所述柵極P型體區位于所述N阱中，且位于所述源極和場氧之間，所述柵極P型引出區位于柵極P型體區內。

6.如權利要求5所述的JFET器件，其特征在于，所述柵極P型體區到P-襯底的N阱區域為溝道區。

7.如權利要求1所述的JFET器件，其特征在于，所述場氧呈臺階狀。

8.如權利要求1所述的JFET器件，其特征在于，所述場氧包括第一場氧及與所述第一場氧相連的第二場氧，所述第二場氧呈鳥嘴形。

9.如權利要求8所述的JFET器件，其特征在于，所述第一場氧的厚度為4000埃~15000埃，所述第一場氧的側面與漂移區成10°~45°角。

10.如權利要求9所述的JFET器件，其特征在于，所述第二場氧的厚度小于等于第一場氧的厚度。

11.一種JFET器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述襯底的中形成漂移區，所述漂移區的摻雜濃度為線性變化；

在所述漂移區上形成場氧；

在所述場氧上淀積多晶硅層并進行摻雜；

刻蝕所述多晶硅層形成階梯場板；

在漂移區內形成柵極；

在漂移區內形成源極和漏極，且所述源極和漏極位于所述柵極的兩側。

12.如權利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述襯底為P-襯底。

13.如權利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述漂移區為采用不等寬且不等間距的N阱光刻膠線條，進行熱推進后形成從漏極到源極濃度逐漸變淡的線性摻雜N阱。

14.如權利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述形成場氧的工藝包括如下步驟：

形成氧化層，并做損傷性硅或氬注入；

刻蝕氧化層，形成第一場氧；

用局部場氧化工藝形成第二場氧，所述第一場氧和第二場氧相連。

15.如權利要求14所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述場氧呈臺階狀，所述第二場氧呈鳥嘴形。

16.如權利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，在形成場氧之后，淀積多晶硅層并進行摻雜之前，還包括如下步驟：

在漂移區上熱生長柵氧化層。

17.如權利要求11所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，在漂移區內形成柵極包括如下步驟：

在漂移區內形成柵極P型體區；

在所述柵極P型體區內形成柵極P型引出區。

18.如權利要求17所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，所述柵極P型體區經多晶硅自對準注入后，采用熱推進形成。

19.如權利要求11~18任一項所述的JFET器件的形成方法，其特征在于，采用快速熱退火對摻雜進行激活。