[發明專利]接觸孔的形成方法

無效

• 申請號: 201210138204.2
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102683273A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 楊渝書;李程;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種接觸孔的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有有源器件的半導體襯底，所述半導體襯底包含柵極區域和源漏區域；

形成與柵極區域和源漏區域電連接的金屬硅化物層；

在所述的金屬硅化物層表面依次形成刻蝕停止層，第一絕緣層，中間停止層，層間介質層以及第二絕緣層，底部抗反射層；

在底部抗反射層上形成光阻圖案，以定義出接觸孔的位置；

以光阻圖案為掩膜，刻蝕底部抗反射層至暴露出第二絕緣層，形成開口；

執行主刻蝕工藝，沿所述的開口刻蝕第二絕緣層，層間介質層至暴露出柵極區域上的中間停止層；

繼續沿開口執行過刻蝕工藝，去除源漏區域上的層間介質層，至暴露出中間停止層；

沿開口刻蝕中間停止層和第一絕緣層至暴露出刻蝕停止層；

去除光阻圖案以及底部抗反射層；

去除開口暴露出的刻蝕停止層至金屬硅化物層，形成接觸孔。

2.根據權利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述的中間停止層材料為氮化硅。

3.根據權利要求2所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述的主刻蝕工藝的刻蝕氣體包含C₄F₈和CF₄。

4.根據權利要求3所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述的主刻蝕工藝的刻蝕氣體還包含O₂和Ar。

5.根據權利要求4所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述的C₄F₈的流量為40~50sccm，CF₄的流量為15~20sccm。

6.根據權利要求5所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述的O₂的流量范圍15~25sccm，Ar的流量范圍為600~800sccm。

7.根據權利要求6所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述的過刻蝕工藝的刻蝕氣體包含C₄F₈，C₄F₈的流量范圍為40~50sccm。

8.根據權利要求7所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述的過刻蝕工藝的刻蝕氣體還包含O₂和Ar。

9.根據權利要求8所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述的O₂的流量范圍12~20sccm，Ar的流量范圍為600~800sccm。