[發明專利]通過使用回復偏壓來減少存儲器中擦除干擾的方法與裝置

有效

• 申請號: 201210137877.6
• 申請日: 2012-05-07
• 公開（公告）號: CN103390426A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 洪俊雄;吳柏璋;張坤龍;陳耕暉
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，尤其是一種通過使用回復偏壓來減少存儲器中擦除干擾的方法與裝置。

背景技術

非易失存儲單元的擦除算法為預編程擦除存儲單元至一編程狀態，之后再擦除，并且然后跟隨著對過度擦除存儲單元的一軟編程。此預編程及軟編程是擦除操作之外的額外步驟，且會更正存儲陣列中被選取擦除存儲單元部分的閾值電壓分布。然而，此擦除算法并不會更正未被選取擦除存儲單元的擦除干擾。擦除干擾是指雖然未被選取擦除存儲單元中也受到某種程度擦除的效應。

發明內容

此處所描述的技術是提供一種集成電路具有一非易失存儲陣列及控制電路。此非易失存儲陣列分割成多個存儲群組。此控制電路響應一擦除命令，以擦除一第一組的一個或多個存儲群組且不會擦除一第二組的一個或多個存儲群組，以及施加一回復調整偏壓來調整在該第二組的一個或多個存儲群組中的至少一個存儲群組中的存儲單元的閾值電壓；此回復調整偏壓可以施加至該第二組的一個或多個存儲群組中的至少一個存儲群組中以自擦除一第一組的一個或多個存儲群組所導致的閾值電壓改變回復。此擦除調整偏壓是在該回復調整偏壓之前施加。

通過施加回復調整偏壓至該第二組的一個或多個存儲群組中的至少一個存儲群組中，可以于回復調整偏壓施加時更正擦除干擾(至少一部分)。擦除干擾會因為一相同阱區由(i)該第一組的一個或多個存儲群組以及(ii)該第二組的一個或多個存儲群組中的該至少一個存儲群組所分享，而在擦除調整偏壓施加時發生。

在此處所描述的實施例中，此集成電路還具有維持一用來指示該第二組的一個或多個存儲群組中的一定數目存儲單元是在一編程狀態的回復設定的邏輯。舉例而言，該回復設定可以指示在存儲群組中分享一阱區的存儲單元的地址范圍。當施加該回復調整偏壓(例如至該非易失存儲陣列或是至特定存儲群組)時該存儲單元的數目會增加若干次。

在此處所描述的實施例中，在施加該回復調整偏壓之前先施加一擦除驗證調整偏壓。響應該擦除驗證調整偏壓已指示該第二組的一個或多個存儲群組中的至少個存儲單元正在經歷擦除干擾，此控制電路則施加該回復調整偏壓。

此處所揭露的技術亦包括一方法。此方法包含至少以下步驟：響應一擦除命令以擦除一非易失存儲陣列中的一第一組的一個或多個存儲群組且不會擦除該非易失存儲陣列中的一第二組的一個或多個存儲群組，以及施加一回復調整偏壓來調整在該第二組的一個或多個存儲群組中的至少一個存儲群組中的存儲單元的閾值電壓。

此處描述許多不同的實施例。

附圖說明

圖1為顯示在存儲群組中未被選取被擦除存儲單元的具有回復編程的擦除算法的一范例流程圖。

圖2顯示一個由包括選取被擦除的存儲群組以及選取不要被擦除的存儲群組兩者的多個存儲群組所分享的摻雜阱區。

圖3是漏極電流與柵極電壓的圖標，顯示在低閾值電壓擦除狀態、在高閾值電壓編程狀態以及因為高閾值電壓編程狀態影響正在經歷擦除干擾的存儲單元。

圖4是漏極電流與柵極電壓的圖標，顯示在低閾值電壓擦除狀態、在高閾值電壓編程狀態以及因為正在經歷回復編程以更正擦除干擾而回到高閾值電壓編程狀態的存儲單元。

圖5是根據靜態設定來決定回復編程斜率的具有回復編程的一范例流程圖的一部分。

圖6則是根據動態設定來決定回復編程斜率的具有回復編程的一范例流程圖的一部分。

圖7則是根據動態設定來決定回復編程斜率的具有回復編程的一范例流程圖的一部分。

圖8顯示根據本發明一實施例的存儲集成電路的簡化方塊示意圖，其具有一存儲陣列及此處所描述的改良。

【主要元件符號說明】

150：集成電路

100：非易失存儲單元陣列

101：列譯碼器

102：字線

103：行譯碼器

104：位線

105：總線

107：數據總線

106：感測放大器/數據輸入結構

109：編程、擦除(具有回復)及讀取調整偏壓狀態機構

儲存回復設定的邏輯

108：偏壓調整供應電壓

111：數據輸入線

115：數據輸出線

具體實施方式

圖1為顯示在存儲群組中未被選取被擦除存儲單元的具有回復編程的擦除算法的一范例流程圖。