[發(fā)明專利]一種太陽電池用單晶硅片表面改性方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210136396.3 | 申請日： | 2012-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN102646758A | 公開（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊培志;李學(xué)銘;廖承菌;廖華 | 申請（專利權(quán)）人： | 云南師范大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明慧翔專利事務(wù)所 53112 | 代理人： | 鄧麗春;程韻波 |
| 地址： | 650031 云南*** | 國省代碼： | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 太陽電池 單晶硅 表面 改性 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種太陽電池用單晶硅片表面改性方法，其特征在于，將單晶硅片置于腐蝕溶液中，然后向其中加入具有催化活性的金屬離子化合物，同時控制反應(yīng)的溫度和時間，通過離子催化作用對單晶硅片進(jìn)行表面改性，獲得對太陽光譜具有選擇性吸收的單晶硅片；所述的腐蝕液中添加的金屬離子化合物是指硝酸銀；所述的離子刻蝕反應(yīng)的溫度為10～50攝氏度；所述的離子刻蝕反應(yīng)時間為25～40分鐘；所述的腐蝕溶液為濃硝酸，氫氟酸，去離子水所組成的混合溶液，濃硝酸的質(zhì)量百分濃度為60～70%，其中氫氟酸的重量百分濃度為25～35%，濃硝酸/氫氟酸/去離子水的混合體積比為1:1:1.5～1:1.5:2。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
