[發(fā)明專利]降低碳輔助注入工藝流程中多晶硅柵耗盡的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210136027.4
• 申請(qǐng)日: 2012-05-04
• 公開（公告）號(hào): CN102683185A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞柳江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/265
• 分類號(hào): H01L21/265
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種降低碳輔助注入工藝流程中多晶硅柵耗盡的方法，用于制備PMOS，先提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極，所述柵極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底為源極區(qū)，另一側(cè)的半導(dǎo)體襯底為漏極區(qū)，其特征在于，還包括：

步驟1，制作柵極側(cè)墻，并進(jìn)行P型重?fù)诫s硼注入后進(jìn)行熱退火；

步驟2，移除側(cè)墻并進(jìn)行輕摻雜漏極注入，并采用碳輔助注入工藝；

步驟3，沉積硅化物掩模以制作新的側(cè)墻；

步驟4，形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟2中，形成超淺結(jié)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟3中，采用干法刻蝕形成側(cè)墻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟4中形成的硅化物覆蓋所述源極區(qū)、漏極區(qū)以及柵極的上表面。