[發明專利]降低碳輔助注入工藝流程中多晶硅柵耗盡的方法

有效

• 申請號: 201210136027.4
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102683185A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種降低碳輔助注入工藝流程中多晶硅柵耗盡的方法，用于制備PMOS，先提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有柵極，所述柵極一側的半導體襯底為源極區，另一側的半導體襯底為漏極區，其特征在于，還包括：

步驟1，制作柵極側墻，并進行P型重摻雜硼注入后進行熱退火；

步驟2，移除側墻并進行輕摻雜漏極注入，并采用碳輔助注入工藝；

步驟3，沉積硅化物掩模以制作新的側墻；

步驟4，形成自對準硅化物。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟2中，形成超淺結。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟3中，采用干法刻蝕形成側墻。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟4中形成的硅化物覆蓋所述源極區、漏極區以及柵極的上表面。