[發明專利]一種離子注入阻擋層的制作方法

有效

• 申請號: 201210136017.0
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102683184A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 張文廣;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種離子注入阻擋層的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：在一襯底結構的上表面上沉積非晶態碳層后，繼續沉積硬掩膜層覆蓋所述非晶態碳層的上表面；

步驟S2：采用光刻工藝，形成一部分覆蓋所述硬掩膜層上表面的光阻，并以該光阻為掩膜刻蝕所述硬掩膜層至所述非晶態碳層后，去除所述光阻；

步驟S3：以剩余硬掩膜層為掩膜刻蝕所述非晶態碳層至所述襯底結構后，采用濕法刻蝕工藝去除所述剩余硬掩膜層；

步驟S4：以剩余非晶態碳層為阻擋層，對所述襯底結構進行離子注入工藝形成源漏區后，采用干法刻蝕工藝去除所述剩余非晶態碳層。

2.根據權利要求1所述的離子注入阻擋層的制作方法，其特征在于，所述襯底結構為制備有淺溝隔離槽和薄氧化層的硅襯底，所述淺溝隔離槽部分嵌入所述硅襯底中，所述薄氧化層覆蓋所述襯底暴露的上表面。

3.根據權利要求2所述的離子注入阻擋層的制作方法，其特征在于，所述非晶態碳層覆蓋所述淺溝隔離槽和所述薄氧化層的上表面。

4.根據權利要求1-3中任意一項所述的離子注入阻擋層的制作方法，其特征在于，所述光刻工藝包括：沉積底部抗反射層覆蓋所述硬掩膜層的上表面，旋涂光刻膠覆蓋所述底部抗反射層的上表面，曝光、顯影后，去除多余的光刻膠和底部抗反射層，形成所述光阻。

5.根據權利要求4所述的離子注入阻擋層的制作方法，其特征在于，采用氧氣等離子進行干法刻蝕工藝去除所述非晶態碳層。

6.根據權利要求5所述的離子注入阻擋層的制作方法，其特征在于，所述非晶態碳層的厚度為500-2000A。

7.根據權利要求6所述的離子注入阻擋層的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜的厚度為100-300A。

8.根據權利要求7所述的離子注入阻擋層的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜的材質為SiON。

9.根據權利要求8所述的離子注入阻擋層的制作方法，其特征在于，采用熱磷酸溶液進行步驟S3中的濕法刻蝕工藝。