[發明專利]一種形成多層臺階結構的工藝路線

有效

• 申請號: 201210136001.X
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102779729A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 鄭春生
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種形成多層臺階結構的工藝路線，其特征在于，包括以下步驟：

S1：提供一襯底，在所述襯底上淀積一第一介電層，在所述第一介電層上淀積金屬層，然后，在所述第一介電層和所述金屬層上依次沉積一刻蝕停止層和第二介電層；

S2：在所述第二介電層中開設第一通孔；

S3：在所述第一通孔和所述第二介電層表面覆蓋一抗反射層，并在所述抗反射層表面進行光刻膠；

S4：在所述抗反射層中開設第二通孔；

S5：在所述第二通孔中覆蓋一抗反射層，并在所述抗反射層表面進行光刻膠，同時，循環S4和S5若干次；

S6：去除覆蓋的所述抗反射層；

S7：刻蝕所述第一通孔和所述第二通孔直至所述第一介電層；

S8：在所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第二介電層表面依次沉積金屬下極板、介電質和金屬上極板；

S9：對所述金屬下極板、所述介電質和所述金屬上極板進行化學研磨，形成多層臺階結構電容器。

2.根據權利要求1所述的形成多層臺階結構的工藝路線，其特征在于，根據上述步驟S4和S5，經過多次循環開設的所述第二通孔形成底部寬度逐漸增大的階梯孔。

3.根據權利要求1所述的形成多層臺階結構的工藝路線，其特征在于，所述介電質的材料為氮化硅或氧化硅或high?K。

4.根據權利要求1所述的形成多層臺階結構的工藝路線，其特征在于，所述金屬上極板和所述金屬下極板包含粘合層。

5.根據權利要求1所述的形成多層臺階結構的工藝路線，其特征在于，所述第一通孔的數量為兩個。

6.根據權利要求5所述的形成多層臺階結構的工藝路線，其特征在于，所述第二通孔位于一所述第一通孔中。