[發明專利]一種測試高純管道吹掃效果的方法

有效

• 申請號: 201210135996.8
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102680649A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 孔雄;張悅;鄒秀平;蔡虎軍
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

技術領域

本發明涉及半導體集成電路的制造領域，尤其涉及一種測試高純管道吹掃效果的方法。

背景技術

對于半導體工廠，在新的特氣設備正式投入使用前必須進行充分的管道吹掃工藝，如果管道吹掃不干凈，則會對特氣供應的純度造成一定的影響。

目前，業界一般采用高純N₂對特氣管路和設備進行吹掃，在對包括氣柜、區域分配箱（VDB）、閥門分歧箱（VMB）等設備進行吹掃后，使用分析儀器測試所有VMB出口的數據，以檢測吹掃的效果是否達到工藝需求。

由于測試的VMB數量較多（一般8英寸半導體工廠的VMB數量會達到幾十臺甚至上百臺，而12英寸半導體工廠的VMB的數量則會更多），且測試的內容及測試的指標在業界沒有統一的標準，都是各個廠家根據自己的情況進行操作，所以比較普遍的做法就是對所有VMB的出口都進行測試，這樣就需要花費大量的時間、人力和財力進行測試，不僅增加了工藝成本，且因為集成電路產業的特點就是技術革新快，精度要求高，發展速度可以用“日新月異”來形容，若管道潔凈度測試花費時間過長或管道潔凈度不夠，不僅造成時間、人力和財力的浪費，還會造成產品良率降低。

發明內容

本發明公開了一種測試高純管道吹掃效果的方法，其中，包括以下步驟：

步驟S1：根據特氣管路中閥門分歧箱的布局，選擇最末端的閥門分歧箱作為第一檢測的測試點；

步驟S2：對特氣管路吹掃后，進行各個測試點的第一檢測；

步驟S3：若第一檢測結果不合格，則依次循環重復步驟S1和步驟S2，直至第一檢測結果合格；若第一檢測結果合格，則抽檢除已進行第一檢測過的閥門分歧箱進行第二檢測；

步驟S4：若第二檢測結果不合格，則對該不合格管路進行吹掃，并在吹掃后對該不合格管路中所有閥門分歧箱進行第三檢測，若第三檢測結果不合格則再次對該不合格管路進行吹掃和第三檢測，直至對該不合格管路中所有閥門分歧箱進行的第三檢測結果合格；若第三檢測的檢測結果合格，則說明特氣管路潔凈度合格，吹掃工藝完成；若第二檢測結果合格，則說明特氣管路潔凈度合格，吹掃工藝完成。

上述的測試高純管道吹掃效果的方法，其中，采用高純度的氮氣對所述特氣管路進行吹掃。

上述的測試高純管道吹掃效果的方法，其中，步驟S3中抽檢除已檢測過的閥門分歧箱進行第二檢測時的抽檢率為10％。

上述的測試高純管道吹掃效果的方法，其中，所述第一檢測、第二檢測和第三檢測的檢測因子均包括水份、氧份和顆粒。

上述的測試高純管道吹掃效果的方法，其中，所述第一檢測結果、第二檢測結果或第三檢測結果合格時，其結果中水份要小于10ppb、氧份要小于10ppb、顆粒小于1Pcs/ft³。

上述的測試高純管道吹掃效果的方法，其中，所述顆粒為大于0.1um的顆粒。

上述的測試高純管道吹掃效果的方法，其中，所述特氣管路為：不包含區域分配箱且末端只有一個閥門分歧箱、不包含區域分配箱且末端至少兩個閥門分歧箱或包含有區域分配箱且末端只有一個閥門分歧箱等類型的特氣管路。

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明提出一種測試高純管道吹掃效果的方法，通過根據特氣管路中閥門分歧箱（VMB）布局的不同進行分類，并選擇最末端的閥門分歧箱（VMB）作為測試對象，測試管路內的水份、氧份和顆粒來判斷吹掃后管路的潔凈度，并抽查除已檢測過的閥門分歧箱（即末端VMB）之外進行抽查；這樣，不僅明確了測試管道的內容和指標，還可避免時間、人力和財力的浪費，使得測試數量最小化，同時還能有效控制測試風險，增大產品良率。

附圖說明

圖1是本發明測試高純管道吹掃效果的方法的工藝流程圖；

圖2是本發明測試高純管道吹掃效果的方法中不包含區域分配箱且末端只有一個閥門分歧箱的特氣管路的結構示意圖；

圖3是本發明測試高純管道吹掃效果的方法中不包含區域分配箱且末端至少兩個閥門分歧箱的結構示意圖；

圖4是本發明測試高純管道吹掃效果的方法中包含有區域分配箱且末端只有一個閥門分歧箱的結構示意圖。

具體實施方式??

下面結合附圖對本發明的具體實施方式作進一步的說明：

圖1是本發明測試高純管道吹掃效果的方法的工藝流程圖；如圖1所示，一種測試高純管道吹掃效果的方法，其中，包括以下步驟：