[發明專利]一種精確控制CMP研磨盤溫度的裝置無效
| 申請號： | 201210135995.3 | 申請日： | 2012-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN102672594A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 方精訓;鄧鐳 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/015 | 分類號： | B24B37/015 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 精確 控制 cmp 研磨 溫度 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種精確控制CMP研磨盤溫度的裝置，包括：機臺以及機臺內設有的研磨盤，其特征在于，還包括：半導體制冷裝置，所述半導體制冷裝置均勻分布地設于所述研磨盤下底面；???
一溫度控制裝置，所述溫度控制裝置設于機臺內，并與所述半導體制冷裝置連接；
一溫度檢測裝置，所述溫度檢測裝置設于機臺內位于研磨盤上方，并與所述溫度控制裝置連接。
2.根據權利要求1所述的精確控制CMP研磨盤溫度的裝置，其特征在于，所述半導體制冷裝置之間為串聯連接。
3.根據權利要求1所述的精確控制CMP研磨盤溫度的裝置，其特征在于，所述半導體制冷裝置吸熱面向上緊貼研磨盤，所述半導體制冷裝置的散熱面向下。
4.根據權利要求1所述的精確控制CMP研磨盤溫度的裝置，其特征在于，所述溫度檢測裝置為紅外線溫度檢測裝置。
5.根據權利要求1所述的精確控制CMP研磨盤溫度的裝置，其特征在于，所述半導體制冷裝置的制冷溫度范圍為正溫90度至負溫130度。
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