[發明專利]一種提高圖形線寬量測精度對準的方法

有效

• 申請號: 201210135984.5
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102683253A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 王劍;戴韞青
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

技術領域

本發明涉及一種微電子的技術領域，尤其涉及一種能夠提高圖形線寬量測精度對準的方法。

背景技術

半導體芯片制造中，使用光刻機（scanner）曝光定義電路圖形，線寬尺寸（CD）越來越小，掃描式電子顯微鏡（SEM）是量測特征尺寸線寬的主要設備。其成像原理是電子束照射在被量測物體上，在不同形貌區域產生不同數量的二次電子。收集二次電子信號并轉化成特征尺寸線寬的圖像。當電子束照射在光刻膠上時，會對光刻膠造成電子照射損傷，導致光刻膠圖形變形，影響特征尺寸線寬的量測結果。為了減少對光刻膠的電子照射損傷，生產中需要建立量測程序完成自動量測，其中量測程序的第一個步驟就要進行精確對準。

隨著半導體芯片的集成度不斷提高，晶體管的特征尺寸不斷縮小到納米級，生產工藝也越來越復雜。在生產中各種元器件的三維結構被分解為幾十層二維的光刻圖形。為了達到良好的器件性能，各個光刻圖形要有精準的特征尺寸線寬，目前生產中使用日立（Hitachi）掃描電子顯微鏡（SEM）進行量測，在建立量測的程序中，第一步需要進行晶圓的對準，它的目的是先找到曝光范圍（field）的相對容易識別的圖形目標作為基準位置，目前找基準位置主要有兩種，一種是在field里面找到一個圖形，這種方法缺點是如果量測圖形在基準的左邊，那么在量測的時候，量測圖形被認為是左邊的field，如圖1所示的一種對準基準在field里的方法，1為量測圖形，2為基準。

第二種是在field交界處十字形圖形，這種方法缺點是圖形由大塊的光阻區和非光阻區組成，在對準時容易失焦，導致對準發生錯誤，如圖2所示的一種對準基準在field交界處的十字圖形的方法，3為光阻區，4為非光阻區。

發明內容

本發明的目的在于提供一種提高圖形線寬量測精度對準的方法，以解決現有找基準位置方法中如果量測圖形在基準的左邊，那么在量測時量測圖形被認為是左邊的field，以及對準時容易失焦，導致對準發生錯誤的問題。

為了實現上述目的，本發明采取的技術方案為：

一種提高圖形線寬量測精度對準的方法，其中：

S1：在掩模板上設置具有線條的圖形結構；

S2：對所述掩模板進行曝光晶圓，在交界處形成對準圖形；

S3：建立自動量測程序，對所述對準圖形進行精度對準；

S4：自動量測晶圓所需的結構圖形。

上述的一種提高圖形線寬量測精度對準的方法，其中，所述對準圖形為在橫豎線條中具有數字的線條圖形。

上述的一種提高圖形線寬量測精度對準的方法，其中，所述對準圖形為在橫豎線條中具有字母的線條圖形。

上述的一種提高圖形線寬量測精度對準的方法，其中，所述對準圖形為“十”字型，并通過交界形成四個部分。

上述的一種提高圖形線寬量測精度對準的方法，其中，用于0.25微米技術節點以下。

本發明由于采用了上述技術，使之具有的積極效果是：

本發明提出在field交界處曝光帶有數字或字母圖形結構的設計方案，該圖形結構用于在線寬量測第一步的精度對準，同時可方便的識別field?的上下左右順序，并適用于0.25微米技術節點以下線條光刻生產工藝。本發明分割開的光阻區和非光阻區的小線條圖形，更容易對焦，而且數字或字母代碼更容易識別上下左右field的位置。

附圖說明

圖1是一種對準基準在field里的方法。

圖2是一種對準基準在field交界處的十字圖形的方法。

圖3是本發明的一種提高圖形線寬量測精度對準的方法中曝光排列的示意圖。

圖4是本發明的一種提高圖形線寬量測精度對準的方法中對準圖形結構的一種示意圖。

圖5是本發明的一種提高圖形線寬量測精度對準的方法中對準圖形結構的另一種示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖給出本發明一種提高圖形線寬量測精度對準的方法的具體實施方式。