[發明專利]一種用于45納米及以下技術節點的金屬前介質集成工藝

有效

• 申請號: 201210135982.6
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102738006A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 鄭春生;張文廣;傅昶;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/311
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種用于45納米及以下技術節點的金屬前介質集成工藝，其特征在于，包括：

S1：提供一半導體襯底，所述半導體襯底上形成有器件層；

S2：在所述半導體襯底上依次沉積張應力氮化硅層和HARP膜；

S3：對所述HARP膜進行氮氣、氧氣、臭氧等離子體處理；

S4：在所述HARP膜上沉積PETEOS氧化硅層；

S5：進行化學機械研磨工藝，直至暴露出所述HARP膜的表面；?

S6：再次對所述HARP膜進行氮氣、氧氣、臭氧等離子體處理；

S7：在所述HARP膜和PETEOS氧化硅層、氮化硅層中形成通孔之后，然后利用氮氣的等離子體同時對所述HARP膜從PETEOS氧化硅層中外露的部分以及在通孔中外露的部分進行處理。

2.根據權利要求1所述的用于45納米及以下技術節點的金屬前介質集成工藝，其特征在于，步驟S3包括：采用氮氣或惰性氣體對HARP膜進行等離子體處理；以及采用含氧氣體對所述HARP膜進行等離子體處理。

3.根據權利要求1所述的用于45納米及以下技術節點的金屬前介質集成工藝，其特征在于，步驟S3包括：采用氮氣、惰性氣體或含氧氣體對所述HARP膜進行等離子體處理。

4.根據權利要求1所述的用于45納米及以下技術節點的金屬前介質集成工藝，其特征在于，步驟S6包括：采用氮氣或惰性氣體對HARP膜進行等離子體處理；以及采用含氧氣體對所述HARP膜進行等離子體處理。

5.根據權利要求1所述的用于45納米及以下技術節點的金屬前介質集成工藝，其特征在于，步驟S6包括：采用氮氣、惰性氣體或含氧氣體對所述HARP膜進行等離子體處理。

6.根據權利要求1所述的用于45納米及以下技術節點的金屬前介質集成工藝，其特征在于，步驟S7中：針對氮氣等離子體的處理在PECVD腔室內進行。

7.根據權利要求1所述的用于45納米及以下技術節點的金屬前介質集成工藝，其特征在于，所述步驟S3和步驟S4在同一腔室內進行。

8.根據權利要求1所述的用于45納米及以下技術節點的金屬前介質集成工藝，其特征在于，所述步驟S3和步驟S4在不同的腔室內進行。