[發明專利]一種氧化物半導體上電極層的刻蝕方法

有效

• 申請號: 201210135944.0
• 申請日: 2012-05-03
• 公開（公告）號: CN102637591A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 蘭林鋒;徐華;徐苗;陶洪;鄒建華;王磊;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 華南理工大學;廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種氧化物半導體上電極層的刻蝕方法，其特征在于，包括：

在氧化物半導體層上制備含有鉬的電極層；

使用含有雙氧水的刻蝕液對所述含有鉬的電極層進行電極的刻蝕。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用含有雙氧水的刻蝕液對所述含有鉬的電極層進行電極的刻蝕，包括：

使用抗蝕劑在所述含有鉬的電極層上繪制電極的圖案；

將所述含有鉬的電極層浸沒在含有雙氧水的刻蝕液中，直到沒有涂抹所述抗蝕劑的部分完全被刻蝕；

去除所述含有鉬的電極層上的抗蝕劑，形成電極。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

所述抗蝕劑包括：光刻膠；

所述使用抗蝕劑在所述含有鉬的電極層上繪制電極的圖形，包括：

在所述含有鉬的電極層上涂抹光刻膠；

依次使用前烘、曝光、顯影和后烘的方法使得所述含有鉬的電極層中非電極的部分露出。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在氧化物半導體層上制備含有鉬的電極層之前，包括：

在基片上制備氧化物半導體層，所述基片含有玻璃基板、柵極和絕緣層。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述氧化物半導體層的成分包括：氧化鋅；

所述氧化物半導體層的成分還包括：銦，鎵，鋁，鎂，釹，鉭，鉿和錫中任意一項或兩項以上的組合；

所述氧化物半導體層通過濺射，激光脈沖沉積或原子層沉積的方法制備，厚度為20至100納米。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述含有鉬的電極層包括：鉬金屬或鉬合金；

所述含有鉬的電極層通過濺射、離子鍍或蒸發的方法制備，厚度為10至1000納米。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述含有雙氧水的刻蝕液為雙氧水的水溶液，或在雙氧水的水溶液中添加堿后形成的混合溶液。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述雙氧水的水溶液的濃度為5wt.%至70wt.%。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述堿為氫氧化鉀、氫氧化鈉或氨水。