[發明專利]具可調適米勒補償的電壓調節器

有效

• 申請號: 201210135658.4
• 申請日: 2012-05-03
• 公開（公告）號: CN103309384A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 張榮富
• 申請（專利權）人: 擎泰科技股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

1.一種可調適米勒補償的電壓調節器，包含：

一第一放大器，耦接一參考電壓及一回饋電壓；

一第二放大器，耦接該第一放大器的輸出；

一可調適補償電路，具有二端，分別耦接至該第二放大器的輸入端及輸出端，該可調適補償電路包含串接的補償電容器及補償晶體管；

一偏壓電路，用來產生一適當的偏壓控制電壓，以動態控制可調適補償電路，使得該補償晶體管操作于信道弱反轉或信道強反轉的深三極管區；和

一輸出電路，耦接該放大器的輸出，該輸出電路產生該電壓調節器的輸出電壓，據以產生該回饋電壓；

其中該補償晶體管受控于該偏壓控制電壓，使其電阻隨電壓調節器的負載而改變；及

其中該偏壓電路復制該輸出電路的電流的至少一部分以產生一鏡射電流，且根據該鏡射電流以產生該偏壓控制電壓。

2.如權利要求1所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中該第一放大器包含差動放大器或折疊式串接（folded-cascode）放大器，該第一放大器具有非反相輸入端及反相輸入端，用來分別耦接該參考電壓及該回饋電壓。

3.如權利要求1所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中該第二放大器包含共源極放大器。

4.如權利要求3所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中該第二放大器是由串接的PMOS晶體管與NMOS晶體管所組成，該PMOS晶體管的漏極電性連接至該NMOS晶體管的漏極，其中該NMOS晶體管或該PMOS晶體管的柵極作為該第二放大器的輸入端，且該PMOS晶體管與該NMOS晶體管的連接節點作為該第二放大器的輸出端。

5.如權利要求1所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中該可調適補償電路還包含一補償電阻器，串接于該補償電容器及該補償晶體管。

6.如權利要求1所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中該補償晶體管包含一MOS晶體管，其柵極耦接該偏壓控制電壓。

7.如權利要求1所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中該偏壓電路包含：

一鏡射晶體管，用來產生該鏡射電流；和

至少一個二極管連接型式的晶體管，串接于該鏡射晶體管；

其中該鏡射晶體管與該二極管連接型式的晶體管之間的連接節點提供該偏壓控制電壓。

8.如權利要求7所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中該輸出電路包含：

一分壓器，用來產生該回饋電壓；及

一功率晶體管，串接于該分壓器，其中該功率晶體管的電流根據該負載而改變，且該功率晶體管的電流的至少一部分被復制到該偏壓電路的鏡射晶體管。

9.如權利要求7所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中當該負載增加，則該偏壓控制電壓也跟著增加，且該二極管連接型式的晶體管的過驅動電壓大于零，使得該補償晶體管操作于通道強反轉的深三極管區；且當該負載降低，則該偏壓控制電壓也跟著降低，且該二極管連接型式的晶體管的過驅動電壓小于零，使得該補償晶體管操作于通道弱反轉的深三極管區。

10.如權利要求9所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中該偏壓電路還包含一偏壓次電路，其不受該負載的影響，用來提供一內部偏壓給該二極管連接型式的晶體管的其中之一，由此，當零負載時，該補償晶體管操作于通道弱反轉的深三極管區。

11.如權利要求10所述的可調適米勒補償的電壓調節器，其中該偏壓次電路包含一MOS晶體管，其柵極為固定偏壓，其漏極電性連接至該二極管連接型式的晶體管其中之一的柵極。