[發(fā)明專利]一維介孔晶的氧化鋅基銅摻雜稀磁半導(dǎo)體及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210135622.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-08-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102627314A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-08-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 戴李宗;肖文軍;吳廷華;許一婷;羅偉昂 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01G9/02 | 分類號(hào): | C01G9/02;H01F1/40 |
| 代理公司: | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所 35200 | 代理人: | 馬應(yīng)森 |
| 地址: | 361005 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一維介孔晶 氧化鋅 摻雜 半導(dǎo)體 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體,尤其是涉及一種一維介孔晶的氧化鋅基銅摻雜稀磁半導(dǎo)體及其制備方法。
背景技術(shù)
稀磁半導(dǎo)體(DMSs)是指由磁性過(guò)渡金屬或稀土金屬元素(例如:Mn、Fe、Co、Ni、Cr及Eu等)部分替代Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅵ族、或Ⅲ-Ⅴ族等半導(dǎo)體中的部分元素后所形成的一類新型半導(dǎo)體材料。目前,人們主要研究的是Ⅱ-Ⅵ和Ⅲ-Ⅴ族化合物基的DMSs,半導(dǎo)體基一般有GaAs、InAs、GaSb、GaN、GaP、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe等。
作為一種傳統(tǒng)的寬帶隙半導(dǎo)體材料,ZnO以其優(yōu)異的性能在很多領(lǐng)域成為了研究的熱門,尤其是最近以來(lái),ZnO基DMSs以其在自旋電子學(xué)中巨大的潛在應(yīng)用前景引起了世界上眾多科研工作者的廣泛關(guān)注。DMSs能否在室溫下依舊保持鐵磁性是決定其是否具有實(shí)用性的關(guān)鍵。2000年,Dietl等人(T.Dietl,H.Ohno,F.Matsukura,J.Cibert,D.Ferrand,Zener?Model?Description?of?Ferromagnetism?in?Zinc-Blende?Magnetic?Semiconductors,Science,2000,287(11):1019-1022)利用Zener模型預(yù)言了p型導(dǎo)電的Mn摻雜ZnO在室溫以上顯示鐵磁性,這是ZnO在DMSs領(lǐng)域的一個(gè)重要的里程碑,從此掀起了ZnO基DMSs研究的熱潮。此后,用過(guò)渡金屬V、Ni、Co、Mn、Cr及Fe等對(duì)ZnO進(jìn)行摻雜制備具有室溫鐵磁性的材料已經(jīng)有了一些報(bào)道。ZnO基DMSs納米結(jié)構(gòu)的制備方法主要有分子束外延、脈沖激光沉積、化學(xué)氣相沉積等。但是,這些方法存在設(shè)備昂貴、制備工藝復(fù)雜等缺點(diǎn),從而限制了ZnO基DMSs及相應(yīng)的自旋電子器件的研發(fā)和應(yīng)用。因此,尋找簡(jiǎn)單有效、價(jià)格低廉制備ZnO基DMSs的方法,不僅有利于促進(jìn)對(duì)ZnO基DMSs的基礎(chǔ)研究,而且有利于ZnO基自旋電子器件的研發(fā)和應(yīng)用。液相法是一種方便、有效的制備ZnO納米材料的方法。并且,液相法具有可低溫下制備、可規(guī)模化生產(chǎn)、可化學(xué)修飾等優(yōu)點(diǎn),成為人們制備ZnO基DMSs的重要手段。最近,室溫離子液體,作為一種非揮發(fā)性溶劑已經(jīng)成功用于一維ZnO納米材料的制備,室溫離子液體是一種不可燃、強(qiáng)極性、熱穩(wěn)定性高、可設(shè)計(jì)性的綠色溶劑,離子液體的特點(diǎn)為制備各種形貌和晶型的ZnO納米材料提供可能性,并且往離子液體的溶液中加入過(guò)渡金屬的前驅(qū)體很容易達(dá)到摻雜ZnO的目的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種一維介孔晶的氧化鋅基銅摻雜稀磁半導(dǎo)體及其制備方法。
所述一維介孔晶的氧化鋅基銅摻雜稀磁半導(dǎo)體為過(guò)渡金屬摻雜ZnO基DMSs一維介孔晶納米材料,其分子式為Zn1-xTMxO,其中TM為過(guò)渡金屬,x為摻雜成分的百分比,x=0.01~0.10。
所述過(guò)渡金屬可以為Cu等。
所述一維介孔晶的氧化鋅基銅摻雜稀磁半導(dǎo)體的制備方法如下:
1)將鋅鹽溶解在離子液體中,濃度為0.5~4wt%,加熱至溶液透明;
2)往步驟1)制得的溶液中加入過(guò)渡金屬鹽至全部溶解,得混合溶液;
3)將步驟2)制得的混合溶液加熱回流,自然冷卻至室溫,將所得到沉淀依次用水和乙醇洗滌,得到的粉末干燥,即得具有室溫鐵磁性的一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體。
在步驟1)中,所述鋅鹽可為Zn(CH3COO)2·2H2O,Zn(NO3)2·4H2O或ZnCl2等;所述離子液體可為N(C4H9)4OH·30H2O,N(C3H7)4OH·30H2O或N(C2H5)4OH·30H2O等;所述加熱的溫度可為20~40℃。
在步驟2)中,所述過(guò)渡金屬鹽與鋅鹽的摩爾比可為1∶(99~9);所述過(guò)渡金屬鹽可為Cu等的金屬鹽,過(guò)渡金屬鹽的陰離子與鋅鹽的陰離子可一致。
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