[發(fā)明專利]一種LED芯片及其相應(yīng)的制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210135398.0 | 申請日： | 2012-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN102637790A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張昊翔;封飛飛;金豫浙;萬遠濤;高耀輝;李東昇;江忠永 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 芯片 及其 相應(yīng) 制作方法 | ||
1.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一襯底，在所述襯底的表面上形成外延層，所述外延層由下至上依次沉積包含有N型層、發(fā)光層和P型層；
在所述P型層上沉積絕緣材料，通過刻蝕絕緣材料形成銀遷移阻擋層和電流阻擋層，在所述銀遷移阻擋層和電流阻擋層之間形成窗口，每個窗口底部暴露出P型層；
在所述每個窗口形成金屬功能層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：形成金屬功能層之后，包括如下步驟：
在所述銀遷移阻擋層、電流阻擋層和金屬功能層的表面形成第一鍵合層；
提供一基板，在所述基板的一面形成第二鍵合層，另一面形成P型焊盤；
將第一鍵合層與第二鍵合層進行鍵合，剝離襯底；
在所述的N型層表面制作N焊盤；
制成LED芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述金屬功能層為包含有依次形成于P型層上的P型接觸層、反射鏡層或P型接觸層、反射鏡層和防擴散層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：采用化學氣相沉積、蒸發(fā)或者濺射形成所述銀遷移阻擋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述銀遷移阻擋層使用的材料為絕緣材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述絕緣材料為二氧化硅、氮化硅、氮氧硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦中的一種或組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述銀遷移阻擋層的厚度為100nm-10000nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述反射鏡層的厚度為50nm-500nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述銀遷移阻擋層的外框尺寸為200μm-20mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸為200μm-20mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸，其內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述銀遷移阻擋層的外框尺寸和內(nèi)框尺寸差為5μm-200μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述銀遷移阻擋層外框和內(nèi)框形狀為正方形、長方形、圓形、或多邊形中的一種或組合。
16.一種LED芯片，其特征在于，至少包括：
外延層，所述外延層包括N型層、位于所述N型層上的發(fā)光層、及位于所述發(fā)光層上的P型層；
金屬功能層，所述金屬功能層位于所述P型層上；
銀遷移阻擋層，所述銀遷移阻擋層位于所述P型層上，且位于所述金屬功能層外圍。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的LED芯片，其特征在于：所述金屬功能層包含有依次形成于P型層表面的P型接觸層、反射鏡層或P型接觸層、反射鏡層和防擴散層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17中任一項所述的LED芯片，其特征在于：位于外延層相反的金屬功能層和銀遷移阻擋層的表面依次形成有第一鍵合層和第二鍵合層，位于第二鍵合層表面形成有基板，位于所述基板表面形成有P型焊盤，位于所述N型層表面制作有N型焊盤；在所述P型層表面正對于所述N型焊盤部位形成有貫穿金屬功能層的電流阻擋層。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的LED芯片，其特征在于：所述N型層為表面粗化的N型層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的LED芯片，其特征在于：所述銀遷移阻擋層使用的材料為絕緣材料。
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