[發明專利]適用于大功率GaN基LED芯片的復合電極無效
| 申請號： | 201210135370.7 | 申請日： | 2012-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN102709431A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 楊旅云;張國龍;趙明;田光磊;吳東平;李浩;陳曉鵬;常志偉 | 申請（專利權）人： | 施科特光電材料(昆山)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽;曾人泉 |
| 地址： | 215341 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 適用于 大功率 gan led 芯片 復合 電極 | ||
1.?一種適用于大功率GaN基LED芯片的復合電極，含有P面電極和N面電極，其特征在于，所述P面電極為含有ITO薄膜（1）、P面金屬焊盤（2）和P面ITO條形電極（3）的P面復合電極，所述ITO薄膜（1）覆蓋在P型氮化鎵表面，所述P面金屬焊盤（2）設置在P型GaN表面的一端，所述P面ITO條形電極（3）與所述P面金屬焊盤（2）連接并由P面金屬焊盤（2）向另一端延伸；所述N面電極為含有N面金屬焊盤（4）、N面ITO條形電極（5）的N面復合電極，所述N面金屬焊盤（4）設置在N面一端的中間，所述N面ITO條形電極（5）與所述N面金屬焊盤（4）連接并由N面金屬焊盤（4）兩端沿N面邊緣向N面的另一端延伸至靠近P面金屬焊盤（2）的一端。
2.?根據權利要求1所述的適用于大功率GaN基LED芯片的復合電極，其特征在于，所述的P面ITO條形電極（3）為條狀或者輻射狀的結構。
3.?根據權利要求1或2所述的適用于大功率GaN基LED芯片的復合電極，其特征在于，所述的P面ITO條形電極（3）采用與N面ITO條形電極（5）相同或者不同的材料。
4.?根據權利要求1所述的適用于大功率GaN基LED芯片的復合電極，其特征在于，所述的P面ITO條形電極（3）和N面ITO條形電極（5）為由導電性能優于ITO薄膜的導電材料制作的條形電極。
5.?根據權利要求4所述的適用于大功率GaN基LED芯片的復合電極，其特征在于，所述導電性能優于ITO薄膜的導電材料為二氧化錫質量百分比大于等于10%的ITO材料。
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