[發明專利]一種雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器

無效

• 申請號: 201210135203.2
• 申請日: 2012-05-02
• 公開（公告）號: CN102646928A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 鄭婉華;付非亞;王宇飛;晏新宇;周文君;陳微
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01S5/20
• 分類號: H01S5/20;H01S5/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，包括：

一介質材料長條；以及

一覆蓋于該介質材料長條上的金屬層；

該等離子體激光器是通過在雙維尺度低于激射波長衍射極限的介質材料上生長金屬層以實現等離子體模式振蕩，并在另一維度上引入FP腔振蕩反饋機制，實現模式品質因子的增強與模式的激射。

2.根據權利要求1所述的雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，所述介質材料長條在未被金屬層覆蓋的端面，其兩個維度上尺寸為幾百個納米，用于克服激射波長衍射極限。

3.根據權利要求1所述的雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，所述介質材料長條在覆蓋有金屬層的端面，其兩個維度上尺寸為幾個微米。

4.根據權利要求1所述的雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，所述介質材料長條采用的材料是增益介質材料，該增益介質材料至少為砷化鎵或磷化銦。

5.根據權利要求1所述的雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，所述金屬層的厚度是幾百個納米。

6.根據權利要求1所述的雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，所述金屬層覆蓋于所述介質材料長條的上表面、左側面和右側面，共三面。

7.根據權利要求1所述的雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，所述金屬層采用的材料是金屬材料，該金屬材料是金、銀或銅。

8.根據權利要求1所述的雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，所述介質材料長條的橫向截面形狀是圓形、橢圓形、正方形或矩形。

9.根據權利要求1所述的雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，所述等離子體激光器的FP反饋機制是由介質材料長條未被金屬層覆蓋的兩端面提供，用于實現等離子體模式品質因子的增強。

10.根據權利要求1所述的雙維度上克服衍射極限的等離子體激光器，其特征在于，該等離子體激光器的工作波長位于可見光、紅外波段。