[發明專利]蓋板及其制造方法、太陽能玻璃、光伏器件有效
| 申請號: | 201210135182.4 | 申請日: | 2012-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN102655178A | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發明(設計)人: | 羅愛云;丁君;史偉杰;樸昇煥 | 申請(專利權)人: | 法國圣戈班玻璃公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱勝;陳煒 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蓋板 及其 制造 方法 太陽能 玻璃 器件 | ||
技術領域
本發明涉及光學材料領域,尤其涉及一種蓋板及其制造方法、太陽能玻璃、光伏器件。
背景技術
玻璃具有透明、強度高、不透氣的特點,在日常環境中呈化學惰性,也不會與生物起作用,因此用途非常廣泛。常見的玻璃包括汽車玻璃、平板玻璃、保溫玻璃等。
玻璃還應用于光伏器件中,用作光伏器件中太陽能電池的蓋板。參考圖1,示出了現有技術光伏器件一實施例的示意圖。所述光伏器件包括:基底11;位于基底11上的粘合層12,所述粘合層12中還設置有多個太陽能電池13,本實施例中所述太陽能電池13為晶硅電池;蓋板玻璃14。所述基底11、粘合層12和蓋板玻璃14構成太陽能電池多層結構。
光伏器件工作時,光投射至蓋板玻璃14,之后透過所述蓋板玻璃14到達粘合層12,處于粘合層12中的太陽能電池13將接收到的光能轉換為電能,以實現光伏器件的功能。在太陽能電池13將光轉換為電信號后,所述太陽能電池13會積累大量負電荷,所述太陽能電池13呈負電勢。
為了使用安全,所述光伏器件還設置有包覆于太陽能電池多層結構端部的邊框15,所述邊框15與地端相連,或者所述邊框15與一低電勢的電源電壓相連。這樣,人在接觸所述光伏器件時,接觸到邊框15不會發生觸電危險。
在光伏器件的使用過程中,邊框15和太陽能電池13之間存在電勢差,所述電勢差可引起漏電流的發生,最終導致光伏器件的功率衰減(Potential?Induced?Degradation,PID),影響光伏器件的性能,如何減小PID是本領域技術人員研究的熱點。
在“26th?European?Photovoltaic?Solar?Energy?Conference?and?Exhibition,5-8Setember?2011,Hamburg,Germany”中,Simon?Koch等人發表了名為“POLARIZATION?EFFECTS?AND?TESTS?FOR?CRYSTALLINE?SILICON?CELLS”的文章,Simon?Koch等人認為蓋板玻璃中的堿金屬離子等金屬陽離子是造成PID問題的誘因之一。
下面結合參考圖1,說明蓋板玻璃中的金屬陽離子造成PID問題的原因。在光伏器件中,所述蓋板玻璃14通常采用鈉鈣玻璃,鈉鈣玻璃中包含多種金屬陽離子,例如Na+等堿金屬離子、Ca2+等堿土金屬離子和Fe3+等其他金屬陽離子。由于邊框15接地或與一低電勢的電源電壓相連,而所述太陽能電池13呈負電勢,所述邊框15的電勢高于所述太陽能電池13的電勢,因此在光伏器件中形成方向自邊框15至太陽能電池13的電場(如圖1中箭頭所示方向)。在所述蓋板玻璃14中,所述電場的方向自上至下。
鈉鈣玻璃中的金屬陽離子在所述自上至下電場的作用下會朝向太陽能電池13運動。所述金屬陽離子遷移到太陽能電池13的表面或者進入太陽能電池13內部,將引起太陽能電池13性能的下降,從而造成PID問題,進而造成光伏器件性能的下降。
發明內容
本發明解決的技術問題是防止或延緩諸如光伏器件等的工作器件的性能下降。
為了解決上述問題,本發明提供一種蓋板,適于覆蓋工作器件,所述工作器件在蓋板形成有電場,所述蓋板包括:透光基體,所述透光基體具有相對的第一表面和第二表面,所述第一表面鄰接于所述工作器件;阻擋層,位于所述透光基體的第一表面,用于阻擋所述透光基體內物質因所述電場作用而逸出,以抑制所述工作器件的性能退化;抗反射層,位于所述透光基體的第二表面,用于減少透光基體第二表面上入射光的反射。
可選地,所述阻擋層為透光絕緣材料。
可選地,所述阻擋層的光透過率大于或等于90%。
可選地,所述阻擋層的材料為二氧化硅,或者,所述阻擋層的材料為二氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合。
可選地,所述阻擋層的厚度在20~250nm的范圍內。
可選地,所述阻擋層的厚度在20~50nm的范圍內。
可選地,所述阻擋層的厚度為20nm、30nm或40nm。
可選地,所述阻擋層的厚度在50~150nm的范圍內。
可選地,所述阻擋層的厚度為80nm、100nm、120nm或150nm。
可選地,所述阻擋層的材料為二氧化硅摻雜氧化鋁,所述阻擋層的厚度為100nm。
可選地,所述抗反射層為單層結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





