[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210135041.2
• 申請日: 2012-04-29
• 公開（公告）號: CN103377948A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅軍;鄧堅;趙超;鐘匯才;李俊峰;陳大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京藍(lán)智輝煌知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括步驟：

在襯底上形成柵極堆疊結(jié)構(gòu)，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成源漏區(qū)；

在柵極堆疊結(jié)構(gòu)以及源漏區(qū)上形成柵極保護層；

執(zhí)行離子注入，在源漏區(qū)表面形成非晶硅區(qū)；

在柵極堆疊結(jié)構(gòu)以及非晶區(qū)上淀積金屬層；

執(zhí)行退火，使得金屬層與非晶硅區(qū)反應(yīng)形成金屬硅化物。

2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，執(zhí)行退火的同時，離子注入的離子在金屬硅化物與源漏區(qū)之間的界面處形成離子分凝區(qū)。

3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，在執(zhí)行離子注入之前或者之后，刻蝕柵極保護層形成柵極側(cè)墻。

4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，對于NMOS而言，離子注入的離子包括As、P、Sb、AsH₃、PH₃及其組合；對于PMOS而言，非晶化離子注入的離子包括B、B?F₂、B₂F₄、Al、Ga、In及其組合。

5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，離子注入的劑量為1E15～1E17cm^-2，注入能量為5KeV～200KeV。

6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，金屬層為鎳基金屬層，包括Ni、Ni-Pt、Ni-Co、Ni-Pt-Co。

7.如權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，非Ni元素的總含量小于等于10％。

8.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，退火為兩步退火，先執(zhí)行第一退火使得金屬層與非晶硅區(qū)反應(yīng)形成富金屬相硅化物，然后執(zhí)行第二退火使得富金屬相硅化物轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘俟杌铩?/p>

9.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，第一退火溫度低于第二退火溫度。

10.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，金屬硅化物包括NiSi、NiPtSi、NiCoSi、NiPtCoSi。