[發明專利]一種單軸磁各向異性薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210134865.8
• 申請日: 2012-05-03
• 公開（公告）號: CN102683003A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 劉宜偉;李潤偉;詹清峰;彭姍姍;謝亞麗;左正笏
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01F41/14
• 分類號: H01F41/14;H01F41/18;H01F10/00
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種單軸磁各向異性薄膜的制備方法，其特征是：包括如下步驟：

步驟1：將具有各向異性熱膨脹系數的襯底放置在加熱器上，所述的加熱器上安裝溫度傳感器；

步驟2：通過加熱器加熱襯底，利用溫度傳感器監控該加熱溫度并將其反饋至加熱器，使加熱器、溫度傳感器構成閉環反饋回路，加熱襯底至預設溫度；

步驟3：保持襯底溫度為預設溫度，利用磁控濺射或脈沖激光沉積的方法在熱膨脹后的襯底上均勻生長磁性薄膜；

步驟4：待磁性薄膜生長完畢，將襯底溫度降至室溫，即得到單軸磁各向異性薄膜。

2.根據權利要求1所述的單軸磁各向異性薄膜的制備方法，其特征是：所述的加熱器安裝在旋轉軸上，在步驟3中生長磁性薄膜時，首先開啟旋轉軸轉動，從而帶動襯底在旋轉中生長磁性薄膜。

3.根據權利要求2所述的單軸磁各向異性薄膜的制備方法，其特征是：所述的襯底通過外部固定件增大與加熱器間的摩擦。

4.根據權利要求3所述的單軸磁各向異性薄膜的制備方法，其特征是：所述的外部固定件由螺釘與壓片組成，壓片一端通過螺釘固定在加熱器上，另一端輕壓襯底一端。

5.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的單軸磁各向異性薄膜的制備方法，其特征是：所述的襯底包括單晶襯底、陶瓷襯底、金屬襯底、有機物襯底、塑料襯底或鐵電襯底。