[發(fā)明專利]一種改善恢復軟度特性的二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210134774.4
• 申請日: 2012-05-03
• 公開（公告）號: CN102637727A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設計）人: 王明輝;賈文慶;王平
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種改善恢復軟度特性的二極管，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底為第一類型；

第一本征外延層，位于所述半導體襯底上；

高摻雜濃度外延層，位于所述第一本征外延層上；

第二本征外延層，位于所述高摻雜濃度外延層上；

低摻雜濃度外延層，位于所述第二本征外延層上；

第二類型摻雜區(qū)，形成于所述低摻雜濃度外延層上；以及

第二類型重摻雜區(qū)，形成于所述第二類型摻雜區(qū)。

2.如權利要求1所述的改善恢復軟度特性的二極管，其特征在于，所述第一本征外延層的厚度為2μm～5μm。

3.如權利要求1所述的改善恢復軟度特性的二極管，其特征在于，所述高摻雜濃度外延層的厚度為2μm～20μm，所述高摻雜濃度外延層的電阻率為1Ω·cm～10Ω·cm，所述摻雜濃度為4.85E15cm^-3～4.41E14cm^-3，所述高摻雜濃度外延層為第一類型。

4.如權利要求1所述的改善恢復軟度特性的二極管，其特征在于，所述第二本征外延層的厚度為1μm～3μm。

5.如權利要求1所述的改善恢復軟度特性的二極管，其特征在于，所述低摻雜濃度外延層的厚度為20μm～150μm，所述低摻雜濃度外延層的電阻率為10Ω·cm～80Ω·cm，所述低摻雜濃度外延層的摻雜濃度4.41E14cm^-3～5.41E13cm^-3，所述高摻雜濃度外延層為第一類型。

6.如權利要求1所述的改善恢復軟度特性的二極管，其特征在于，第二類型摻雜區(qū)的結深為5μm～15μm。

7.如權利要求1所述的改善恢復軟度特性的二極管，其特征在于，第二類型重摻雜區(qū)的結深為1μm～3μm。

8.如權利要求1至7中任意一項所述的改善恢復軟度特性的二極管，其特征在于，所述第一類型為N型，所述第二類型為P型。

9.一種改善恢復軟度特性的二極管的制造方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底為第一類型；

在所述半導體襯底上形成第一本征外延層；

在所述第一本征外延層上形成高摻雜濃度外延層；

在所述高摻雜濃度外延層上形成第二本征外延層；

在所述第二本征外延層上形成低摻雜濃度外延層；

在所述低摻雜濃度外延層中形成第二類型摻雜區(qū)；以及

在所述第二類型摻雜區(qū)中形成第二類型重摻雜區(qū)。

10.如權利要求9所述的改善恢復軟度特性的二極管的制造方法，其特征在于，采用外延生長法形成所述第一本征外延層、高摻雜濃度外延層、第二本征外延層和低摻雜濃度外延層，生長溫度為1000℃～1150℃。

11.如權利要求9所述的改善恢復軟度特性的二極管的制造方法，其特征在于，所述第一本征外延層的厚度為2μm～5μm。

12.如權利要求9所述的改善恢復軟度特性的二極管的制造方法，其特征在于，所述高摻雜濃度外延層的厚度為2μm～20μm，所述高摻雜濃度外延層的電阻率為1Ω·cm～10Ω·cm，所述摻雜濃度為4.85E15cm^-3～4.41E14cm^-3，所述高摻雜濃度外延層為第一類型。

13.如權利要求9所述的改善恢復軟度特性的二極管的制造方法，其特征在于，所述第二本征外延層的厚度為1μm～3μm。

14.如權利要求9所述的改善恢復軟度特性的二極管的制造方法，其特征在于，所述低摻雜濃度外延層的厚度為20μm～150μm，所述低摻雜濃度外延層的電阻率為10Ω·cm～80Ω·cm，所述低摻雜濃度外延層的摻雜濃度4.41E14cm^-3～5.41E13cm^-3，所述高摻雜濃度外延層為第一類型。

15.如權利要求9所述的改善恢復軟度特性的二極管的制造方法，其特征在于，所述第二類型摻雜區(qū)的結深為5μm～15μm。

16.如權利要求9所述的改善恢復軟度特性的二極管的制造方法，其特征在于，所述第二類型重摻雜區(qū)的結深為1μm～3μm。

17.如權利要求9至16中任意一項所述的改善恢復軟度特性的二極管的制造方法，其特征在于，所述第一類型為N型，所述第二類型為P型。