[發明專利]自適應低壓差線性穩壓器有效
| 申請號： | 201210134442.6 | 申請日： | 2012-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN103383580A | 公開（公告）日： | 2013-11-06 |
| 發明（設計）人： | 方狄 | 申請（專利權）人： | 三星半導體（中國）研究開發有限公司;三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鴻禧 |
| 地址： | 215021 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 自適應 低壓 線性 穩壓器 | ||
1.一種低壓差線性穩壓器(LDO)，包括誤差放大器和LDO輸出級電路，誤差放大器將LDO輸出級電路產生的穩壓器輸出信號與參考電壓進行比較，并輸出控制信號用于控制LDO輸出級電路，其特征在于，還包括：
源跟隨器電路，位于誤差放大器輸出端與LDO輸出級電路控制端之間，接收誤差放大器輸出的控制信號，并且源跟隨器電路的輸出端輸出的輸出信號用于控制LDO輸出級電路。
2.如權利要求1所述的LDO，其中，源跟隨器電路包括第一NMOS管和第二NMOS管，第一NMOS管的柵極接收誤差放大器輸出的控制信號，第一NMOS管的源極連接到第二NMOS管的漏極，第二NMOS管的柵極接收偏置信號并提供給第一NMOS管，第一NMOS管的源極為源跟隨器電路的輸出端。
3.如權利要求2所述的LDO，其中，第一NMOS管是零閾值NMOS管(ZVT?NMOS)。
4.如權利要求3所述的LDO，其中，第一NMOS管具有大寬長比，以減小第一NMOS管的過驅動電壓。
5.如權利要求1～4之一所述的LDO，還包括：
自適應電路，包括第一PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，其中，第一PMOS管的柵極連接到源跟隨器電路的輸出端，第三NMOS管的柵極和漏極互相連接并同時連接至第一PMOS管的漏極和第四NMOS管的柵極，第四NMOS管的漏極連接到源跟隨器電路的輸出端。
6.如權利要求5所述的LDO，其中，自適應電路和源跟隨器電路構成自適應源跟隨器。
7.如權利要求5所述的LDO，其中，第一PMOS管的寬長比小于LDO輸出級電路中的PMOS管的寬長比，
其中，LDO輸出級電路中的PMOS管受控于源跟隨器電路的輸出信號。
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