[發明專利]一種弱酸性氧化電位殺菌水及其制備方法

無效

• 申請號: 201210134310.3
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN102659217A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 邵鵬飛
• 申請（專利權）人: 邵鵬飛
• 主分類號: C02F1/461
• 分類號: C02F1/461
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

技術領域

本發明涉及殺菌消毒領域，特別涉及一種弱酸性氧化電位殺菌水及其制備方法。

背景技術

消毒領域中引入氧化還原電位的概念是源于日本20世紀80年代研制生產的酸性氧化電位水生成機及由生成機產生的酸性氧化電位水。酸性氧化電位水(簡稱：EOW)是指具有高氧化還原電位(ORP)、低pH值特性和低濃度有效氯(ACC)的水。

酸性氧化電位水殺菌的機理如下：

首先，由于自然界中大多數種類的微生物生活在pH?4-9的環境中，而酸性氧化電位水的pH值可影響微生物生物膜上的電荷以及養料的吸收、酶的活性，并改變環境中養料的可給性或有害物質的毒性，從而達到殺滅微生物的目的。

其次，由于氫離子、鉀離子、鈉離子等在微生物生物膜內外的分布不同，使得膜內、外電位達到動態平衡時有一定的電位差，一般約為-700～+900mV。需氧細菌的生物膜內外的的電位差一般為+200～+800mV，而厭氧細菌的生物膜內外的的電位差一般為-700～+200mV。酸性氧化電位水中的氧化、還原物質和pH等因素，使其ORP高于1100mV，超出了微生物的生存范圍。具有高ORP(即ORP＞1100mV)的EOW接觸微生物后迅速奪取電子，干擾生物膜平衡，改變生物膜內外電位差、膜內外的滲透壓，導致生物膜通透性增強、細胞腫脹及細胞代謝酶的破壞，使胞內物質溢出、溶解，從而達到快速殺滅微生物的目的。

最后，有效氯能使細胞的通透性發生改變，或使生物膜發生機械性破裂，促使細胞內溶物向外滲出，致使細菌死亡。并且，次氯酸為中性小分子物質，易侵入細胞內與蛋白質發生氧化作用或破壞其磷酸脫氫酶，使糖代謝失調致使細菌死亡，從而達到殺滅微生物的目的。

EOW系統的殺菌能力是以ACC為主導，低pH值及高ORP為重要促進的三者協同作用的結果。該系統協同效果遠高于單一的ACC、低pH值及高ORP作用的簡單加和，其ACC越高、pH值越低、ORP越高，系統綜合滅菌效果就越好。

但是，現有的酸性氧化電位水生成機生成的酸性氧化電位水的pH值一般在2-3間，對金屬普遍具有一定的腐蝕性，從而導致該酸性氧化電位水生成機的應用存在一定的局限性。而當通過降低酸性氧化電位水的酸性來減少對金屬的腐蝕性時，例如降低到pH值在3-7間時，又難以形成多種形態的有效氯以保證有效氯的濃度。

發明內容

本發明的第一目的在于提供一種弱酸性氧化電位殺菌水的制備方法，以解決現有技術中的當通過降低酸性氧化電位水的酸性來減少對金屬的腐蝕性時，例如降低到pH值在3-7間時，又難以形成多種形態的有效氯以保證有效氯的濃度的技術問題。

本發明的第二目的在于提供一種弱酸性氧化電位殺菌水，以解決現有技術中的當通過降低酸性氧化電位水的酸性來減少對金屬的腐蝕性時，例如降低到pH值在3-7間時，又難以形成多種形態的有效氯以保證有效氯的濃度的技術問題。

本發明目的通過以下技術方案實現：

一種弱酸性氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟：

(1)提供可以產生氫離子的A單元，所述A單元的pH值在0-5間；

(2)提供含有有效氯的B單元；

(3)將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的pH值在3-7間，其氧化還原電位為850-1150mV，其有效氯含量為30-1000mg/L。

優選地，所述A單元的pH值在0-4.5間。

優選地，所述A單元的pH值在2-3間。

優選地，所述B單元的有效氯選自液氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質的一種或幾種，所述有效氯前體物質是指與酸反應可以生成有效氯的含氯物質。

優選地，所述B單元為堿性。

優選地，所述B單元可含有中等強度堿、弱堿或強堿弱酸鹽。

一種弱酸性氧化電位殺菌水，包括使用前獨立分裝的A單元和B單元，所述A單元為pH值在0-5間的溶液；所述B單元為含有有效氯的試劑。

優選地，所述B單元選自液氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質的一種或幾種，所述有效氯前體物質是指與酸反應可以生成有效氯的含氯物質。

優選地，所述B單元可含有堿性物質，所述堿性物質為強堿、中強堿、弱堿或者強堿弱酸鹽的一種或者幾種。

優選地，所述A單元與所述B單元混合后得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的pH值在3-7間，其氧化還原電位為850-1150mV，其有效氯含量為30-1000mg/L。