[發明專利]線性均衡器有效
| 申請號: | 201210133324.3 | 申請日: | 2012-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN103379063A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 朱紅衛;劉國軍 | 申請(專利權)人: | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號: | H04L25/03 | 分類號: | H04L25/03;H04L25/02 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁紀鐵 |
| 地址: | 201206 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線性 均衡器 | ||
1.一種線性均衡器,其特征在于,包括:
由第一MOS晶體管和第二MOS晶體管組成差分輸入對管,所述第一MOS晶體管和第二MOS晶體管的柵極分別為一對差分輸入信號的輸入端,所述第一MOS晶體管和第二MOS晶體管的漏極分別為一對差分輸出信號的輸出端,所述第一MOS晶體管和第二MOS晶體管的源極分別連接一電流源;
所述第一MOS晶體管的漏極依次串聯有第一電阻和第一電感,所述第二MOS晶體管的漏極也依次串聯有第一電阻和第一電感;所述第一電阻和所述第一電感要求能產生一個高于通道帶寬的零點;
第二電阻,該第二電阻的兩端分別和所述第一MOS晶體管和所述第二MOS晶體管的源極相連;
第三MOS電容和第四MOS電容,所述第三MOS電容和所述第四MOS電容分別由一源極和漏極短接的MOS晶體管組成,所述第三MOS電容的柵極和所述第一MOS晶體管的源極和所述第二MOS晶體管的源極中的一個相連,所述第四MOS電容的柵極和所述第一MOS晶體管的源極和所述第二MOS晶體管的源極中的另一個相連;所述第三MOS電容和所述第四MOS電容的另一電極連接在一起;所述第二電阻和所述第三MOS電容和所述第四MOS電容要求能產生另一個高于通道帶寬的零點。
2.如權利要求1所述的線性均衡器,其特征在于:線性均衡器還包括一CMOS傳輸門,該CMOS傳輸門由第五NMOS晶體管和第六PMOS晶體管連接形成;該CMOS傳輸門輸入端和輸出端連接于所述第三MOS電容的柵極和所述第四MOS電容的柵極之間;所述第五NMOS晶體管和所述第六PMOS晶體管的柵極分別連接一對反相的信號。
3.如權利要求2所述的線性均衡器,其特征在于:所述線性均衡器還包括一第一CMOS反相器和第二CMOS反相器,所述第一CMOS反相器的輸出端和所述第二CMOS反相器的輸入端相連;所述第一CMOS反相器的輸入端連接使能信號,所述第一CMOS反相器和所述第二CMOS反相器的輸出端提供一對反相的信號到所述第五NMOS晶體管和所述第六PMOS晶體管的柵極上。
4.如權利要求1所述的線性均衡器,其特征在于:所述第一MOS晶體管和所述第二MOS晶體管都為NMOS晶體管。
5.如權利要求4所述的線性均衡器,其特征在于:組成所述第三MOS電容和所述第四MOS電容的MOS晶體管都為NMOS晶體管,所述第三MOS電容和所述第四MOS電容的另一電極端接地。
6.如權利要求4所述的線性均衡器,其特征在于:所述第一MOS晶體管的電流源由第七NMOS晶體管組成,所述第七NMOS晶體管的漏極連接所述第一MOS晶體管的源極、所述第七NMOS晶體管的源極接地;
所述第二MOS晶體管的電流源由第八NMOS晶體管組成,所述第八NMOS晶體管的漏極連接所述第二MOS晶體管的源極、所述第八NMOS晶體管的源極接地;
第九NMOS晶體管為所述第七NMOS晶體管和所述第八NMOS晶體管提供鏡像偏置,所述第九NMOS晶體管的柵極和漏極、以及所述第七NMOS晶體管和所述第八NMOS晶體管的柵極連接在一起,所述第九NMOS晶體管的漏極還連接一偏置電流,所述第九NMOS晶體管的源極接地。
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