[發明專利]柵極半導體器件的替換

有效

• 申請號: 201210133099.3
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN103021949B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 李達元;許光源
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/28;H01L27/092;H01L29/49
• 代理公司: 北京德恒律師事務所11306
• 代理人: 陸鑫,房嶺梅

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一開口和第二開口的半導體襯底；

在所述襯底上形成介電層；

在所述第一開口中的所述介電層上形成蝕刻停止層；

在所述蝕刻停止層上沉積功函層；以及

在所述功函層上形成填充金屬，其中，所述填充金屬填充了所述第一開口。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第二開口中的所述介電層上形成所述蝕刻停止層，同時在所述第一區域中形成所述蝕刻停止層。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：

此后，將所述蝕刻停止層從所述第二開口中去除。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第二開口中的所述第一介電層上形成第二功函層，其中，所述第二功函層與所述介電層相接合。

5.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在第一器件區域上形成偽柵極結構；

在鄰近所述偽柵極結構的位置上注入源極區域和漏極區域中的至少一個；

在所述注入之后，去除所述偽柵極結構；

在去除所述偽柵極結構之后，在所述第一器件區域上形成柵極介電層；

在所述柵極介電層上形成蝕刻停止層；以及

在所述蝕刻停止層上形成金屬柵電極，其中，所述金屬柵電極包括形成在所述蝕刻停止層上的功函層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在所述第一區域中的所述蝕刻停止層上形成所述金屬柵電極包括：

沉積所述功函層；

在覆蓋所述功函層的所述第一區域上形成掩模元件；

在所述第一區域上形成所述掩模元件的同時，從所述襯底的第二區域中去除所述功函層。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，通過化學汽相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)以及物理汽相沉積(PVD)中的至少一種形成所述蝕刻停止層。

8.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

第一柵極結構，形成在所述半導體襯底上，其中，所述第一柵極結構包括柵極介電層、蝕刻停止層、第一功函金屬、第二功函金屬和填充金屬；以及

第二柵極結構，形成在所述半導體器件上，其中，所述第二柵極結構包括柵極介電層、第二功函金屬和填充金屬。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第二柵極結構包括所述蝕刻停止層。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一功函金屬是p型功函金屬，所述第二功函金屬是n型功函金屬。