[發明專利]電容式超聲傳感器芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 201210132866.9
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN103379392A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 俞挺;彭本賢;于峰崎
• 申請（專利權）人: 中國科學院深圳先進技術研究院
• 主分類號: H04R1/00
• 分類號: H04R1/00;H04R31/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種電容式超聲傳感器芯片，其特征在于，包括表面設有第一區域和第二區域的摻雜硅襯底；所述第一區域具有金屬導電層延伸至第二區域的集成電路；所述位于第二區域的金屬導電層上覆蓋有附加膜，所述附加膜上覆蓋有可導電的振動膜，所述附加膜中具有連接振動膜的接觸通孔，所述附加膜和振動膜之間形成有空腔。

2.根據權利要求1所述的電容式超聲傳感器芯片，其特征在于，所述摻雜硅襯底的背面形成有連接第一區域和第二區域的電氣連接焊盤。

3.根據權利要求1或2所述的電容式超聲傳感器芯片，其特征在于，所述附加膜為氧化硅或氮化硅的單層膜，或為氧化硅與氮化硅的復合膜。

4.根據權利要求1或2所述的電容式超聲傳感器芯片，其特征在于，所述振動膜上覆蓋有保護膜。

5.根據權利要求4所述的電容式超聲傳感器芯片，其特征在于，所述保護膜為聚合物薄膜。

6.一種電容式超聲傳感器芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、提供CMOS標準集成電路工藝制造的半成品，所述半成品以摻雜硅為襯底，所述襯底表面設有第一區域和第二區域，其中第一區域生成有集成電路，且集成電路具有的金屬導電層延伸至第二區域；

步驟二、將位于第二區域的金屬導電層暴露出來；

步驟三、在位于第二區域的金屬導電層上覆蓋附加膜，以使所述附加膜與所述金屬導電層組合形成背極板作為電容的一極；

步驟四、在附加膜內部形成接觸通孔；

步驟五、在附加膜上形成犧牲層；

步驟六、在犧牲層上形成可導電的振動膜，并在振動膜上形成腐蝕孔，振動膜與所述接觸通孔連接并作為電容的另一極；

步驟七、通過腐蝕孔去除所述犧牲層，使背極板與振動膜之間形成空腔；

步驟八、在振動膜上覆蓋保護膜，封閉所述腐蝕孔。

7.根據權利要求6所述的電容式超聲傳感器芯片的制作方法，其特征在于，步驟一中，在所述摻雜硅襯底的背面形成連接第一區域和第二區域的電氣連接焊盤。

8.根據權利要求6或7所述的電容式超聲傳感器芯片的制作方法，其特征在于，所述附加膜為氧化硅或氮化硅的單層膜，或為氧化硅與氮化硅的復合膜。

9.根據權利要求6或7所述的電容式超聲傳感器芯片的制作方法，其特征在于，采用濕法腐蝕或干法反應離子刻蝕去除所述犧牲層，進而形成所述空腔。

10.根據權利要求6或7所述的電容式超聲傳感器芯片的制作方法，其特征在于，所述保護膜采用物理氣相沉淀或化學氣相沉淀工藝形成的聚合物薄膜。