[發明專利]一維介孔晶的氧化鋅基鎳摻雜稀磁半導體及其制備方法有效
| 申請號： | 201210132777.4 | 申請日： | 2010-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN102642861A | 公開（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發明（設計）人： | 戴李宗;肖文軍;吳廷華;許一婷;羅偉昂 | 申請（專利權）人： | 廈門大學 |
| 主分類號： | C01G9/02 | 分類號： | C01G9/02;H01F1/40;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務所 35200 | 代理人： | 馬應森 |
| 地址： | 361005 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一維介孔晶 氧化鋅 摻雜 半導體 及其 制備 方法 | ||
1.一維介孔晶的氧化鋅基鎳摻雜稀磁半導體，其特征在于為過渡金屬摻雜ZnO基DMSs一維介孔晶納米材料，其分子式為Zn1-xTMxO，其中TM為過渡金屬，x為摻雜成分的百分比，x＝0.01～0.10；所述過渡金屬為Ni。
2.如權利要求1所述一維介孔晶的氧化鋅基鎳摻雜稀磁半導體的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)將鋅鹽溶解在離子液體中，濃度為0.5～4wt％，加熱至溶液透明；所述鋅鹽為Zn(CH3COO)2·2H2O，Zn(NO3)2·4H2O或ZnCl2；所述離子液體為N(C4H9)4OH·30H2O，N(C3H7)4OH·30H2O或N(C2H5)4OH·30H2O；
2)往步驟1)制得的溶液中加入過渡金屬鹽至全部溶解，得混合溶液；所述過渡金屬鹽為Ni的金屬鹽，過渡金屬鹽的陰離子與鋅鹽的陰離子一致；
3)將步驟2)制得的混合溶液加熱回流，自然冷卻至室溫，將所得到沉淀依次用水和乙醇洗滌，得到的粉末干燥，即得具有室溫鐵磁性的一維介孔晶的ZnO基稀磁半導體。
3.如權利要求2所述一維介孔晶的氧化鋅基鎳摻雜稀磁半導體的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述加熱的溫度為20～40℃。
4.如權利要求2所述一維介孔晶的氧化鋅基鎳摻雜稀磁半導體的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述過渡金屬鹽與鋅鹽的摩爾比為1∶99～9。
5.如權利要求2所述一維介孔晶的氧化鋅基鎳摻雜稀磁半導體的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述加熱的溫度為80～110℃，回流的時間為20～30h。
6.如權利要求2所述一維介孔晶的氧化鋅基鎳摻雜稀磁半導體的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述將所得到沉淀依次用水和乙醇洗滌，是將所得到沉淀用水洗滌2～4次，然后用乙醇洗滌2～4次；所述干燥的溫度為50～80℃，干燥的時間為5～8h。
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