[發明專利]形成氧化物層的方法和含該氧化物層的半導體器件的制法

有效

• 申請號: 201210132762.8
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN102760661A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 鄭淑真;李鐘喆;金潤洙;柳次英;姜相列
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.形成氧化物層的方法，所述方法包括：

在基底表面上形成反應-抑制官能團的層；

在所述反應-抑制官能團的層上形成特定材料的前體的層；和

氧化所述特定材料的前體的層以獲得所述特定材料的氧化物層。

2.權利要求1的方法，其中形成所述反應-抑制官能團的層包括：

將包括包含所述反應-抑制官能團的有機化合物的反應氣體提供至所述基底；和

使所述反應氣體化學吸附在所述基底的表面上。

3.權利要求2的方法，其中所述包含所述反應-抑制官能團的有機化合物為包含羥基的有機化合物。

4.權利要求2的方法，其中形成于所述基底表面上的所述反應-抑制官能團包括具有1～4個碳原子的烷氧基、具有6～10個碳原子的芳氧基、具有1～5個碳原子的酯基、或者具有7～10個碳原子的芳基酯基。

5.權利要求1的方法，其中在形成所述反應-抑制官能團的層中，

氧自由基結合至構成所述基底表面的中心金屬，和

在所述中心金屬和所述氧自由基之間的第三結合能弱于在硅和所述氧自由基之間的第一結合能和在鋁和所述氧自由基之間的第二結合能的任一個。

6.權利要求1的方法，進一步包括，在形成所述反應-抑制官能團的層之前，在所述基底表面上形成反應活化成分的層。

7.權利要求6的方法，其中在所述反應活化成分和所述基底之間的結合強度弱于在所述反應活化成分和周期表第3周期中的任意金屬之間的結合強度，并且也弱于在所述反應活化成分和所述第3周期中的任意半導體之間的結合強度。

8.形成氧化物層的方法，所述方法包括：

在基底表面上形成反應活化成分的層；

在所述反應活化成分的層上形成第一材料的第一氧化物層；和

在所述第一氧化物層上形成第二材料的第二氧化物層，

其中所述第一材料包括第一金屬或第一半導體，

形成所述第一氧化物層包括形成所述第一材料的前體的層和氧化所述第一材料的前體的層，和

形成所述第二氧化物層包括在所述第一氧化物層上形成反應-抑制官能團的層、在所述反應-抑制官能團的層上形成所述第二材料的前體的層、和氧化所述第二材料的前體的層。

9.權利要求8的方法，其中所述第二材料包括第二金屬或第二半導體。

10.權利要求9的方法，其中所述第二金屬為在化學元素周期表第3周期中的任意金屬。

11.權利要求9的方法，其中所述第二金屬為鋁(Al)。

12.權利要求9的方法，其中所述第二半導體包括硅。

13.權利要求9的方法，其中所述第一金屬為如下的至少一種：鑭系金屬或化學元素周期表第4～6周期中2族～5族金屬。

14.權利要求9的方法，其中通過氧化所述第二材料的前體的層獲得的表面具有氧自由基，和

形成所述第一氧化物層和形成所述第二氧化物層交替地重復進行。

15.權利要求14的方法，其中在所述第一氧化物層的形成之間的形成所述第二氧化物層進行僅一次。

16.權利要求8的方法，其中所述反應-抑制官能團附著于其的所述基底的表面包括具有20或更大的縱橫比的特征物。

17.權利要求8的方法，其中所述第二氧化物層作為單層形成。

18.形成半導體器件的方法，所述方法包括：

在電極上形成反應-抑制官能團；

在所述反應-抑制官能團上形成第一材料的前體；和

氧化所述第一材料的前體以獲得所述第一材料的氧化物層。

19.權利要求18的方法，進一步包括形成在所述第一材料的氧化物層上面的另外的電極。

20.權利要求18的方法，其進一步包括在所述第一材料的氧化物層上形成第二材料的另外氧化物層。