[發明專利]一種半導體一次閉管擴散方法

無效

• 申請號: 201210132756.2
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN102709161A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 趙巍巍;高軍;孫鳳軍;張金宇
• 申請（專利權）人: 鞍山市聯達電子有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22
• 代理公司: 鞍山嘉訊科技專利事務所 21224
• 代理人: 張群

1.一種半導體一次閉管擴散方法，其特征在于，包括硅片清洗、閉管清洗、裝管和閉管封閉，其具體操作步驟如下：

一)硅片清洗操作如下：

1)將硅片在清洗液一中超聲清洗30-35分鐘，清洗液一中DZ-1電子清洗劑與去離水的體積比為5∶95，超聲波頻率在2-5MHz范圍內，然后用去離子水沖洗25遍；

2)將硅片在清洗液二中超聲清洗30分鐘，所述清洗液二中HF與去離子水的體積比為1∶100，然后用去離子水沖洗20遍；

3)再將硅片放入1#清洗液中，1#清洗液的組分體積比是，氨水∶過氧化氫∶去離子水＝1∶2∶20，煮沸5-10分鐘，然后去離子水沖洗20-25遍，然后再換上新的1#清洗液重煮一遍，最后用冷、熱、冷去離子水各沖洗25-30遍；

4)再將硅片放入2#清洗液中，2#清洗液的組分體積比是，鹽酸∶過氧化氫∶去離子水＝1∶2∶20，煮沸5-10分鐘，然后去離子水沖洗20-25遍，然后再換上新的2#清洗液重煮一遍，最后用冷、熱、冷去離子水各沖洗30遍，最后將處理好的硅片快速放入快速干燥箱中烘1-1.5小時；

二)閉管清洗操作如下：

將石英閉管先用去污粉擦拭一遍，放入混合酸液中，所述混合酸液的配比是，HF∶HCL∶去離子水＝1∶1∶100，將石英閉管浸泡1-1.2小時后取出，用冷、熱、冷去離子水交替沖洗各25-30遍后，放入干燥箱中烘1-1.5小時；

三)裝管：用硝酸鋁液態源浸在硅片表面，硝酸鋁液態源的組分比例為硝酸鋁∶乙醇溶液＝2g∶500ml，將硅片分段放在石英閉管內，每段硅片之間均勻放上鍺鎵片，段與段之間的硅片用石英片隔離；

四)閉管封閉：將閉管的一端用氫氧焰密封，另一端抽真空將空氣排凈，真空度不低于0.01Pa，然后再用氫氧焰將閉管另一端封死，檢驗是否漏氣，即可放在真空擴散爐內進行擴散操作。

2.根據權利要求1中所述的一種半導體一次閉管擴散方法，其特征在于，所述去離子水的電阻率不低于15兆歐姆。