[發明專利]一種背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構及其制備方法有效
| 申請號: | 201210132725.7 | 申請日: | 2012-05-02 |
| 公開(公告)號: | CN102646728A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發明(設計)人: | 劉寶信;沈堅;王栩生;章靈軍 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯(中國)投資有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒;陸金星 |
| 地址: | 215129 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 接觸 太陽能電池 背面 電極 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構,所述電池片的背面設有第一電極、第二電極和背電場;所述第一電極和第二電極的極性相反,所述第一電極和背電場的極性相同;所述第二電極并列設置,形成至少2列第二電極列;其特征在于:在各個第二電極列所在區域的表面覆蓋設有長條形的絕緣膠膜層(1),絕緣膠膜層的數量與第二電極列的列數相同,且該絕緣膠膜層的至少一端沿其長度方向延伸至電池片的端部;
所述絕緣膠膜層上相對于各第二電極的位置開設有電極窗口。
2.根據權利要求1所述的背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構,其特征在于:所述絕緣膠膜層的厚度為20~40微米;絕緣膠膜層的寬度為3~10毫米。
3.根據權利要求1所述的背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構,其特征在于:所述絕緣膠膜層為聚酰胺酰亞胺絕緣膠膜層或甲基封端硅樹脂絕緣膠膜層。
4.根據權利要求1所述的背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構,其特征在于:所述電極窗口呈日字形。
5.根據權利要求1所述的背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構,其特征在于:所述第一電極上設有第二絕緣膠膜層(2),且第二絕緣膠膜層上相對于第一電極的位置開設有電極窗口。
6.根據權利要求5所述的背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構,其特征在于:所述電極窗口呈日字形。
7.一種背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)?將硅片進行打孔、印刷、燒結,在硅片背面形成第一電極、第二電極和背電場;所述第一電極和第二電極的極性相反,所述第一電極和背電場的極性相同;所述第二電極并列設置,形成至少2列第二電極列;
(2)?在各第二電極列所在區域的表面設置長條形的絕緣膠膜;該絕緣膠膜層的至少一端沿其長度方向延伸至電池片的端部,且在絕緣膠膜上相對各第二電極的位置設有電極窗口;絕緣膠膜的數量與第二電極列的列數相同;
(3)?將所述絕緣膠膜烘干固化,在電池片背面形成絕緣膠膜層。
8.根據權利要求7所述的背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構的制備方法,其特征在于:所述步驟(2)中的絕緣膠膜為聚酰胺酰亞胺絕緣膠膜或甲基封端硅樹脂絕緣膠膜。
9.根據權利要求7所述的背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構的制備方法,其特征在于:所述步驟(2)中電極窗口呈日字形。
10.根據權利要求7所述的背接觸硅太陽能電池片的背面電極結構的制備方法,其特征在于:所述步驟(2)中,在各第二電極列所在區域的表面設置長條形的絕緣膠膜的同時,在第一電極所在區域的表面設置絕緣膠膜,且絕緣膠膜上相對于第一電極的位置設有電極窗口;所述步驟(3)中,在絕緣膠膜烘干固化之后,在電池片背面形成絕緣膠膜層和第二絕緣膠膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





