[發明專利]柵極焊盤和源極焊盤的形成方法有效
| 申請號: | 201210132712.X | 申請日: | 2012-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN103377954A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 閔煉鋒 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;C23C14/22;C23C14/14 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柵極 源極焊盤 形成 方法 | ||
1.一種柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,包括物理氣相淀積在晶圓上形成柵極焊盤和源極焊盤的銅鋁合金層的步驟,其特征在于,所述淀積步驟的淀積溫度維持在250±10攝氏度。
2.根據權利要求1所述的柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,其特征在于,所述物理氣相淀積在晶圓上形成柵極焊盤和源極焊盤的銅鋁合金層的步驟,具體是在第二腔體中進行,且該步驟之后還包括下列步驟:
監測所述第二腔體內的溫度是否超過第一溫度閾值,直至所述銅鋁合金層淀積完畢;一旦超過第一溫度閾值則中斷所述銅鋁合金層的淀積,并將所述晶圓移出所述第二腔體進行降溫,同時對所述第二腔體進行冷卻處理;
監測所述第二腔體內的溫度是否低于第二溫度閾值,一旦低于第二溫度閾值則將所述晶圓移回所述第二腔體繼續進行淀積。
3.根據權利要求2所述的柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,其特征在于,所述第一溫度閾值為255攝氏度。
4.根據權利要求1所述的柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,其特征在于,所述物理氣相淀積在晶圓上形成柵極焊盤和源極焊盤的銅鋁合金層的步驟包括在第二腔體中淀積第一厚度的銅鋁合金層和在第二腔體中淀積第二厚度的銅鋁合金層的兩個步驟,且所述兩個步驟之間還包括將晶圓移出所述第二腔體進行降溫,同時對所述第二腔體進行冷卻處理,直至所述第二腔體內的溫度低于第二溫度閾值的步驟。
5.根據權利要求4所述的柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,其特征在于,所述第一厚度為22千埃和第二厚度均為22千埃。
6.根據權利要求2或4所述的柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,其特征在于,所述第二溫度閾值是245攝氏度。
7.根據權利要求2或4所述的柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,其特征在于,所述物理氣相淀積在晶圓上形成柵極焊盤和源極焊盤的銅鋁合金層的步驟之前,還包括在第一腔體中通過物理氣相淀積工藝在所述晶圓上淀積鈦金屬層和氮化鈦層的步驟。
8.根據權利要求7所述的柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,其特征在于,所述在第一腔體中通過物理氣相淀積工藝淀積鈦金屬層和氮化鈦層的步驟之前,還包括在脫氣腔體中烘烤所述晶圓的步驟。
9.根據權利要求8所述的柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,其特征在于,所述在脫氣腔體中烘烤所述晶圓的步驟中烘烤溫度為150±10攝氏度。
10.根據權利要求7所述的柵極焊盤和源極焊盤的形成方法,其特征在于,所述淀積鈦金屬層和氮化鈦層的步驟是在常溫下進行淀積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





