[發明專利]形成存儲節點的方法及使用其形成電容器的方法

有效

• 申請號: 201210132585.3
• 申請日: 2012-02-15
• 公開（公告）號: CN102646640A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 宋翰相;樸鐘國
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種在半導體器件中形成存儲節點的方法，該方法包括：

在襯底上形成層間絕緣層；

在該層間絕緣層上依次形成蝕刻停止層和第一犧牲層；

將該第一犧牲層和該蝕刻停止層圖案化，以形成限定存儲節點接觸孔的第一犧牲層圖案和蝕刻停止層圖案；

形成凹進的第一存儲節點導電圖案，該凹進的第一存儲節點導電圖案保形地覆蓋該存儲節點接觸孔的下部側壁和底表面；

形成第二存儲節點導電圖案，該第二存儲節點導電圖案包括被該凹進的第一存儲節點導電圖案圍繞的第一部分和保形地覆蓋該存儲節點接觸孔的上部側壁的第二部分；以及

去除該第一犧牲層圖案，

其中，該凹進的第一存儲節點導電圖案和該第二存儲節點導電圖案構成存儲節點。

2.根據權利要求1所述的方法，其中該存儲節點接觸孔形成為具有至少18000埃的深度。

3.根據權利要求1所述的方法，其中該凹進的第一存儲節點導電圖案由氮化鈦(TiN)層形成。

4.根據權利要求3所述的方法，其中采用原子層沉積工藝或化學氣相沉積工藝，該氮化鈦(TiN)層形成為具有約50埃至約150埃的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中該凹進的第一存儲節點導電圖案形成為具有約3000至約7000埃的高度。

6.根據權利要求1所述的方法，其中該凹進的第一存儲節點導電圖案形成為具有圓柱形。

7.根據權利要求6所述的方法，其中形成該凹進的第一存儲節點導電圖案包括：

在包括該存儲節點接觸孔的該襯底的表面上形成第一存儲節點導電層；

在該第一存儲節點導電層上形成第二犧牲層；

將該第二犧牲層和第一存儲節點導電層平坦化，以形成該存儲節點接觸孔中的第一存儲節點導電圖案和被該第一存儲節點導電圖案圍繞的第二犧牲層圖案；

使該第一存儲節點導電圖案凹進；以及

去除該第二犧牲層圖案以暴露該凹進的第一存儲節點導電圖案的內表面。

8.根據權利要求7所述的方法，其中該第二犧牲層由相對于該第一存儲節點導電層具有蝕刻選擇性的材料形成。

9.根據權利要求8所述的方法，其中該第一存儲節點導電層由氮化鈦層形成，并且該第二犧牲層由多晶硅層形成。

10.根據權利要求9所述的方法，其中使用清洗工藝使該第一存儲節點導電圖案凹進，該清洗工藝利用硫酸(H₂SO₄)溶液作為清洗溶液。

11.根據權利要求9所述的方法，其中使用濕法蝕刻工藝去除該第二犧牲層圖案，該濕法蝕刻工藝利用氫氧化銨(NH₄OH)溶液作為濕法蝕刻劑。

12.根據權利要求11所述的方法，其中通過按照約1∶5至約1∶30的體積比混合去離子水(H₂O)和氨(NH₃)，形成該氫氧化銨(NH₄OH)溶液。

13.根據權利要求1所述的方法，其中該凹進的第一存儲節點導電圖案和該第二存儲節點導電圖案由相同類型的材料形成。

14.根據權利要求1所述的方法，其中該第二存儲節點導電圖案形成為具有約至約的厚度。

15.根據權利要求1所述的方法，其中采用全浸出工藝去除該第一犧牲層圖案。

16.一種在半導體器件中形成存儲節點的方法，該方法包括：

在襯底上形成層間絕緣層；

在該層間絕緣層上依次形成蝕刻停止層和犧牲層；

將該犧牲層和該蝕刻停止層圖案化，以形成限定存儲節點接觸孔的犧牲層圖案和蝕刻停止層圖案；

形成存儲節點導電圖案，該存儲節點導電圖案保形地覆蓋該存儲節點接觸孔的側壁和底表面；

形成凹進的導電圖案，該凹進的導電圖案填充被該存儲節點導電圖案圍繞的該存儲節點接觸孔的下部；

在該凹進的導電圖案的頂表面上形成金屬層；以及

去除該犧牲層圖案，

其中，該金屬層、該凹進的導電圖案和該存儲節點導電圖案構成存儲節點。