[發明專利]二硫化鉬氮化鈦復合薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210132036.6
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN102658688A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 甄洪賓
• 申請（專利權）人: 賽屋（天津）涂層技術有限公司
• 主分類號: B32B15/04
• 分類號: B32B15/04;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/06
• 代理公司: 天津盛理知識產權代理有限公司 12209
• 代理人: 王來佳

1.一種二硫化鉬氮化鈦復合薄膜，其特征在于：該復合薄膜由下至上分別包括鈦的擴散過渡層、氮化鈦支持層以及二硫化鉬氮化鈦復合層，鈦的擴散過渡層的厚度為250～1300nm，氮化鈦支持層的厚度為500～800nm，二硫化鉬氮化鈦復合層的厚度為1000～1800nm。

2.一種如權利要求1所述的二硫化鉬氮化鈦復合薄膜的制備方法，其特征在于：該制備方法包括的步驟如下：

(1)、開啟設備：將制備薄膜的載體放入真空室內的轉盤上，使真空室壓力為10^e-2帕，開始升溫，并保持溫度在70-200℃；繼續抽真空至小于6×10^e-3帕為止；啟動轉盤，轉盤轉速1-3轉/分鐘；

(2)、清洗刻蝕：通入200-400標況毫升每分的氬氣，使真空室內壓力達到1.0-2.5帕；打開負偏壓電源，對制備薄膜的載體施加負偏壓-800伏，占空比10-30％；時間10-20分鐘；

(3)、抽氣：關閉負偏壓電源和氬氣，抽真空至小于6×10^e-3帕；

(4)、鈦的擴散過渡層沉積：通入150-200標況毫升每分的氬氣，保持真空度0.5-1.0帕，開啟負偏壓電源，-400--600伏，占空比40-60％，然后開啟鈦靶磁控電源，電流10-15安，時間10-20分鐘后，降低負偏壓至-150--300V，繼續沉積，時間10-20分鐘，形成鈦的擴散過渡層；

(5)、氮化鈦支持層沉積：逐步通入100-200標況毫升每分的氮氣，關閉氬氣，真空度保持不變，繼續沉積，沉積時間30-60分鐘，形成氮化鈦支持層；

(6)、二硫化鉬氮化鈦復合層沉積：通入100-150標況毫升每分氬氣，真空度0.5-1.2帕，開啟二硫化鉬磁控電源，磁控電流3-8安，沉積60-120分鐘，形成二硫化鉬氮化鈦復合層；

(7)、保養：關閉所有氣體，負偏壓電源、鈦靶磁控電源以及二硫化鉬磁控電源，保持抽真空，控制真空度在10^-3帕，10-30分鐘，得到二硫化鉬氮化鈦復合薄膜。

3.根據權利要求2所述的二硫化鉬氮化鈦復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述的制備薄膜的載體為鋼板。

4.根據權利要求2所述的二硫化鉬氮化鈦復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述的制備薄膜的載體為沖頭、絲錐、壓縮機中的活塞、活塞銷、曲軸。