[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210131432.7
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN102760734A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 德光成太;上西明夫
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/82;H01L29/36
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種具有高壓晶體管的半導體器件，其中，所述高壓晶體管均包括：

半導體襯底，具有主表面；

第一雜質層，形成于所述半導體襯底的主表面之上；

第二雜質層，形成于所述第一雜質層的內部；

第三雜質層的配對，形成于所述第一雜質層內部以便將所述第二雜質層置于其間；

第四雜質層，形成于所述第三雜質層的配對中的每一個的內部；

第五雜質層，從所述第一雜質層的最上表面形成至所述第一雜質層的內部以便在布置所述第二雜質層的方向上從所述第三雜質層中的至少一個沿著所述主表面突出；以及

導電層，形成于所述最上表面之上以便在平面視圖中至少部分與所述第二雜質層重疊；

其中，所述第四雜質層中的雜質濃度高于所述第三雜質層和所述第五雜質層中的雜質濃度，以及

其中，所述第五雜質層中的雜質濃度高于所述第三雜質層中的雜質濃度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第三雜質層中的至少一個和所述第二雜質層由所述第五層耦合。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中所述第五雜質層被形成為耦合所述第三雜質層的配對中的兩者和所述第二雜質層。

4.根據權利要求1至3任一項所述的半導體器件，其中所述第三雜質層和所述第四雜質層的配對被布置使得位置和形狀關于所述第二雜質層對稱。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體器件，其中所述第五雜質層的雜質濃度高于所述第二雜質層的雜質濃度。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體器件，其中所述導電層被形成為至少部分與所述第五雜質層重疊。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體器件，其中所述第三雜質層、所述第四雜質層以及所述第五雜質層中的雜質為第一導電類型的雜質，所述第二雜質層中的雜質為第二導電類型的雜質。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體器件，其中所述第一雜質層中的雜質和所述第二雜質層中的雜質為相同導電類型的雜質。

9.一種制造具有高壓晶體管的半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有主表面的半導體襯底；

在所述半導體襯底的主表面之上形成第一雜質層；

在所述第一雜質層的內部形成第二雜質層；

在所述第一雜質層的內部形成第三雜質層的配對以便將所述第二雜質層置于其間；

在所述第三雜質層的配對中的每一個的內部形成第四雜質層；

從所述第一雜質層的最上表面至所述第一雜質層的內部形成第五雜質層，以便在布置所述第二雜質層的方向上從所述第三雜質層中的至少一個沿著所述主表面突出；

在所述最上表面上方形成導電層，以便在平面視圖中與所述第二雜質層的至少部分重疊；

其中，所述第四雜質層中的雜質濃度高于所述第三雜質層和所述第五雜質層中的雜質濃度，以及

其中，所述第五雜質層中的雜質濃度高于所述第三雜質層中的雜質濃度。