[發(fā)明專利]一種低衰減彎曲不敏感單模光纖

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210131418.7
• 申請(qǐng)日: 2012-05-02
• 公開（公告）號(hào): CN102645699A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張磊;龍勝亞;楊晨;王瑞春;拉吉·馬泰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)飛光纖光纜有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/036
• 分類號(hào): G02B6/036
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種低衰減彎曲不敏感單模光纖，包括有芯層和三個(gè)包層，其特征在于芯層的相對(duì)折射率差Δ1為0.1%~0.30%，半徑R1為3.5μm~4.5μm，芯層外有三個(gè)包層，第一包層為緊密圍繞芯層的內(nèi)包層，其相對(duì)折射率差Δ2為0.1%~-0.1%，半徑R2為8μm~10μm，第二包層為下陷包層，緊密圍繞內(nèi)包層，其相對(duì)折射率差Δ3為-0.4%~-0.1%，且Δ3小于Δ2，半徑R3為12μm~20μm，第三包層為外包層，緊密圍繞下陷包層的所有分層，相對(duì)折射率差Δ4為-0.20%~0.1%。

2.按權(quán)利要求1所述的低衰減彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的芯層由同時(shí)摻氟和鍺的石英玻璃或摻有及其他摻雜劑的石英玻璃組成，芯層氟的貢獻(xiàn)量ΔF為-0.08%~-0.02%。

3.按權(quán)利要求1或2所述的低衰減彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的第一包層由同時(shí)摻氟（F）和鍺（Ge）的石英玻璃或純石英玻璃組成，第一包層的半徑R2與芯層的半徑R1的比值R2/R1為1.7~2.9，第一包層與芯層的相對(duì)折射率差的差值Δ1-Δ2為0.2%~0.40%。

4.按權(quán)利要求1或2所述的低衰減彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的第二包層由摻氟的石英玻璃組成，其相對(duì)折射率差Δ3小于其它包層。

5.按權(quán)利要求1或2所述的低衰減彎曲不敏感單模光纖，其特征在所述的第三包層為純石英玻璃層，或者為摻氟或其他摻雜劑的石英玻璃層。

6.按權(quán)利要求1或2所述的低衰減彎曲不敏感單模光纖，其特征在于光纖在1310nm波長(zhǎng)處的模場(chǎng)直徑為8.6~9.8微米，零色散波長(zhǎng)為1300~1324nm，光纖在零色散波長(zhǎng)處的色散斜率不大于0.092ps/nm2*km。

7.按權(quán)利要求1或2所述的低衰減彎曲不敏感單模光纖，其特征在于光纖在1310nm波長(zhǎng)處的衰減系數(shù)小于或等于0.325dB/km，1383nm波長(zhǎng)處的衰減系數(shù)小于或等于0.325dB/km，1550nm波長(zhǎng)處的衰減系數(shù)小于或等于0.185dB/km。

8.按權(quán)利要求1或2所述的低衰減彎曲不敏感單模光纖，其特征在于光纖具有小于或等于1260nm的光纜截止波長(zhǎng)。

9.按權(quán)利要求1或2所述的低衰減彎曲不敏感單模光纖，其特征在于光纖在1625納米nm波長(zhǎng)處，對(duì)于圍繞15毫米彎曲半徑繞10圈彎曲附加損耗小于或等于1dB；對(duì)于圍繞10毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于1.5dB。